[发明专利]用于等离子体处理的双区式加热器有效
| 申请号： | 201710515830.1 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107230655B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 周建华;R·萨卡拉克利施纳;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;X·林 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 双区式 加热器 | ||
1.一种用于半导体处理腔室的基座，所述基座包含：
主体，所述主体包含陶瓷材料并且具有凸缘；
多个加热元件，所述多个加热元件封围在所述主体中；
第一轴，所述第一轴耦接到所述主体；以及
第二轴，所述第二轴耦接到所述第一轴；其中所述第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止，
其中，所述第二轴包含插入件，所述插入件由与所述基座的所述主体的材料不同的材料制成，
其中，所述插入件包括形成在所述插入件中的流体通道，且
其中，形成在所述插入件中的所述流体通道包含第一流体通道，所述第一流体通道与所述插入件外部的第二流体通道流体地连通。
2.根据权利要求1所述的基座，其中所述第二轴至少部分地由套管包裹。
3.根据权利要求2所述的基座，其中所述套管包括形成在所述套管中的流体通道。
4.根据权利要求1所述的基座，其中插入件设置在所述第二轴中。
5.根据权利要求1所述的基座，其中所述第一轴由第一材料制成，并且所述第二轴由不同于所述第一材料的第二材料制成。
6.根据权利要求1所述的基座，其中所述第二轴设置在环形构件的开口中。
7.一种用于半导体处理腔室的基座，所述基座包含：
主体，所述主体包含陶瓷材料；
多个加热元件，所述多个加热元件封围在所述主体中；
第一轴，所述第一轴耦接到所述主体；以及
第二轴，所述第二轴耦接到所述第一轴，
其中，所述第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道的至少一部分在所述第二轴中终止，
其中，所述第二轴包含插入件，所述插入件由与所述基座的所述主体的材料不同的材料制成，
其中，所述插入件包括形成在所述插入件中的流体通道，且
其中，形成在所述插入件中的所述流体通道包含第一流体通道，所述第一流体通道与所述插入件外部的第二流体通道流体地连通。
8.根据权利要求7所述的基座，其中所述第二轴至少部分地由套管包裹。
9.根据权利要求8所述的基座，其中所述套管包括形成在所述套管中的流体通道。
10.根据权利要求7所述的基座，其中所述第一轴由陶瓷材料制成，并且所述第二轴和所述插入件由铝材制成。
11.根据权利要求7所述的基座，其中所述第二轴设置在环形构件的开口中。
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