[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

权利要求书

1.一种显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；

刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；

源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源层的材质包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物IGZO。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二浓度层和所述第三浓度层位于同一结构膜层，且与所述第一浓度层位于不同的结构膜层。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层边缘与所述第三浓度层边缘的间距为0.1~1μm。

5.如权利要求1~4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置于所述衬底基板的栅极，以及设置于所述栅极远离所述衬底基板一侧并覆盖所述栅极的绝缘层；

所述有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧并与所述栅极位置相对。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1~5任一项所述的显示基板。

7.一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板一侧制作底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述在衬底基板一侧制作底栅型薄膜晶体管，包括以下步骤：

形成有源层，所述有源层包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，其中，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；

在所述有源层远离所述衬底基板的一侧，形成不超出所述第三浓度层边缘的刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧，形成分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接的源极和漏极。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述形成有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：

在所述衬底基板上形成栅极；

在所述栅极远离所述衬底基板的一侧形成覆盖所述栅极的绝缘层。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成有源层，具体包括以下步骤：

依次形成第一有源膜层、第二有源膜层和光刻胶膜层，所述第一有源膜层的载流子浓度大于所述第二有源膜层的载流子浓度；

以掩模板为保护掩模，对所述光刻胶膜层进行曝光，使所述光刻胶膜层对应所述第一有源膜层和所述第二有源膜层的刻蚀区的区域完全曝光，对应所述第一连接部和所述第二连接部的区域未曝光，对应所述第三浓度层的区域部分曝光；

对曝光后的所述光刻胶膜层进行显影；

以显影后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述第一有源膜层和所述第二有源膜层进行刻蚀；

对所述光刻胶膜层进行灰化，去除所述光刻胶膜层对应所述第三浓度层的区域的光刻胶；

以灰化后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述第二有源膜层进行表面载流子浓度降低的处理；

去除所述第二有源膜层表面残留的所述光刻胶膜层。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源膜层和所述第二有源膜层的材质为氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物IGZO。