[发明专利]晶片保持器和温度调节装置和制造晶片的方法

权利要求书

1.一种待安装到真空晶片处理腔室上的晶片保持器和温度调节布置，包括：

·基座布置，其具有一种延伸的基本上平面表面，所述延伸的基本上平面表面以绕所述基本上平面表面的中心的一种突伸圆形边沿表面为界；

·金属圆形晶片载板，其相对于所述基本上平面表面的所述中心居中安装，所述金属圆形晶片载板的一个表面、所述延伸的基本上平面表面和所述突伸圆形边沿表面共同限定一种加热器隔室，所述金属圆形晶片载板可相对于所述基座布置围绕穿过所述延伸的基本上平面表面的所述中心的一种几何轴线而受驱动旋转；

·多个加热器灯管，其沿着所述延伸的基本上平面表面和沿着所述金属圆形晶片载板的所述一个表面而布置于所述加热器隔室中，并且直接向所述金属圆形晶片载板的所述一个表面暴露并且安装到所述基座布置上；

其中所述加热器隔室操作于真空环境中。

2.根据权利要求1所述的晶片保持器和温度调节布置，包括电功率控制单元，其控制所述多个加热器灯管的功率并且设想到操作所述多个加热器灯管以沿着与其所述一个表面相反的所述金属圆形晶片载板的另一个表面形成在所述另一表面上平均化的至少800℃的最高温度。

3.根据权利要求1或2所述的晶片保持器和温度调节布置，所述多个加热器灯管包括安装于所述加热器隔室中的多个相同的加热器灯管，相对于从所述中心到所述圆形边沿表面的径向方向具有相同取向。

4.根据权利要求3所述的晶片保持器和温度调节布置，所述加热器灯管的所述长度延伸方向与所述径向方向成角偏移。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，所述加热器隔室中所述加热器灯管的至少一部分的位置是可调整的。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，包括穿过所述金属圆形晶片载板的所述另一个表面并且沿着所述另一表面的一种气体出口与分配布置。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，包括在所述基座布置中的管路布置，其设想为使液体在其中流动。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，包括晶片固持布置，其操作性地联接到所述金属圆形晶片载板，其中特别是所述晶片固持布置为重量环，所述重量环的尺寸适于安放于待加工的晶片外围，所述重量环优选地设想为电连接到电偏压源。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，所述加热器灯管具有在所述延伸的基本上平面表面与所述金属圆形晶片载板的所述一个表面之间填充所述加热器隔室而不与所述刚提到的表面相接触的厚度范围。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，所述延伸的基本上平面表面和所述突伸外围圆形边沿表面为热反射器表面，优选地受高光泽抛光。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，所述金属圆形晶片载板与所述基座布置电隔离并且优选地设想为电连接到电偏压源。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的晶片保持器和温度调节布置，所述晶片载板设想到用于下列之一：

·100mm直径晶片，所述多个包括四个500W卤素加热器灯管，

·150mm直径晶片，所述多个包括五个500W卤素加热器灯管，

·200mm直径晶片，所述多个包括十个250W卤素加热器灯管。