[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

功率半导体元件，其连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间，根据栅极电位被控制为导通或截止；

第一栅极控制部，其在控制端子与所述功率半导体元件的栅极之间，根据所述功率半导体元件的切断条件对是否向所述功率半导体元件的栅极供给从所述控制端子输入的控制信号进行切换；

放电电路，其连接于所述功率半导体元件的栅极与基准电位之间，使充电到所述功率半导体元件的栅极的电荷放出；

第二栅极控制部，其根据所述功率半导体元件的集电极电流来控制所述功率半导体元件的所述栅极电位；

反馈部，其根据所述功率半导体元件的集电极电位向所述功率半导体元件的栅极反馈电荷；以及

电流切断部，其根据所述功率半导体元件的切断条件将从所述第一端子流向所述功率半导体元件的栅极的电流切断。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述反馈部具有第一整流元件，所述第一整流元件抑制从所述功率半导体元件的栅极向所述第一端子侧逆流的电信号。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述反馈部具有：

第一电阻，其连接于所述第一端子与所述第一整流元件之间；

第二整流元件，其连接于所述功率半导体元件的栅极与所述第二端子之间；以及

第二电阻，其连接于所述功率半导体元件的栅极与所述第二栅极控制部之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述电流切断部连接于所述第一电阻和所述第一整流元件间的连接线路与所述第二端子之间。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一栅极控制部具有：

第一开关元件，其连接于所述控制端子与所述功率半导体元件的栅极之间，根据输入的电位被控制为导通或截止；以及

截止电位供给部，其在所述控制信号满足所述切断条件时向所述第一开关元件供给使所述第一开关元件截止的截止电位。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在所述控制信号满足所述切断条件时，所述电流切断部将流向所述功率半导体元件的栅极的电流切断。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在检测到所述功率半导体元件的异常时，所述截止电位供给部判断为满足所述切断条件。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，在检测到所述功率半导体元件的异常时，所述截止电位供给部判断为满足所述切断条件。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二栅极控制部具有：

第二开关元件，其连接于所述第一端子与所述第二端子之间，根据输入的电位被控制为导通或截止；

检测部，其连接于所述第二开关元件与所述第二端子之间，检测从所述第一端子流向所述第二端子的电流量；

比较部，其对所述检测部的检测结果与预定的阈值进行比较；以及

第三开关元件，其连接于所述第二开关元件的栅极与所述第二端子之间，根据所述比较部的比较结果控制所述第二开关元件的栅极电位。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二开关元件是与所述功率半导体元件相比阈值相同且跨导小的功率半导体元件。

11.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一栅极控制部和所述第二栅极控制部将从所述控制端子输入的电信号用作电源。

12.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述功率半导体元件是IGBT即绝缘栅双极型晶体管或纵型MOSFET。

13.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置是根据来自外部的控制信号来控制流向点火线圈的电流的点火器。