[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，通过所谓的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件。

背景技术

通过切割装置、激光加工装置等将由分割预定线划分而在半导体基板的正面形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件，分割得到的各个器件被应用在移动电话、个人计算机等电子设备中。

并且，作为能够使器件的抗弯强度提高并且将晶片一次分割成各个器件的生产性良好的分割方法，提出了等离子蚀刻的技术(例如，参照专利文献1。)。

专利文献1：日本特开2002-093752号公报

根据上述专利文献1所记载的等离子蚀刻的技术，虽然可以期待生产效率较高且分割得到的器件的抗弯强度良好的效果，但存在如下问题：在晶片的正面上将用于保护器件的抗蚀膜形成为均匀的厚度是比较困难的，当在所涂布的抗蚀膜(1～5μm)较薄的部分进行蚀刻时，器件会局部露出，器件的品质降低。并且，当在分割预定线上层叠了包含TEG(测试元件组)的金属膜的情况下，还存在等离子蚀刻被遮蔽而无法利用等离子蚀刻进行分割的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：半导体基板露出工序，将切削刀具定位于分割预定线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。

通过SiO₂膜、Si₃N₄膜以及聚酰亚胺膜中的任意的膜来形成该钝化膜，半导体基板是硅基板，将在等离子蚀刻中使用的气体设为氟系气体，能够通过以上方式来实施上述晶片的加工方法。

本发明的晶片的加工方法将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：半导体基板露出工序，将切削刀具定位于分割预定线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割，由此，预先将执行等离子蚀刻时成为障碍的分割预定线上的钝化膜或包含TEG而构成的金属膜去除而将层叠在器件的正面上的钝化膜作为等离子蚀刻时的遮蔽膜来进行利用，所以不需要形成较难均匀涂布的抗蚀膜(1～5μm)，也抑制了将该抗蚀膜作为遮蔽膜来实施等离子蚀刻时的品质的降低。

附图说明

图1的(a)和(b)是对在本发明的晶片加工方法中加工的晶片进行说明的说明图。

图2是用于对本发明的半导体基板露出工序进行说明的说明图。

图3的(a)和(b)是用于对为了实施本发明的分割工序而使用的等离子蚀刻装置的概略进行说明的说明图。

标号说明

10：晶片；10a：半导体基板；10b：半导体基板露出区域；10c：分割槽；12：分割预定线；14：器件；16：钝化膜；18：金属膜；20：切削装置；22：切削刀具；40：等离子蚀刻装置；41：气体提供部；42：腔；43：蚀刻气体提供单元；44：卡盘工作台；45：排气口；46：高频电源。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法的优选的实施方式进行详细地说明。

如图1所示，在本实施方式中加工的晶片10由半导体基板(硅基板)10a和形成在该半导体基板10a的正面侧的由多条分割预定线12划分出的区域内的器件14构成，进而，如在图1的(a)中局部放大剖视图所示的那样，在形成有该器件14的正面侧的整个区域内形成有钝化膜16(例如，二氧化硅膜(SiO₂))，该钝化膜16具有防止来自外部的污染或杂质等进入而保护器件14的作用。公知该钝化膜16是通过等离子CVD法层叠而形成的，这里省略了其详细的说明。另外，作为基于本发明的晶片的加工方法来加工的晶片，未必仅限于图1的(a)所示的方式，例如，也可以将在分割预定线12上不形成钝化膜而是形成有包含TEG(测试元件组)的金属膜18的晶片作为对象(参照图1的(b)。)。