[发明专利]微纳网状结构In2

权利要求书

1.一种微纳网状结构In₂O₃/SnO₂复合材料的生长方法，其特征在于，所述方法包括：

分别将第一原料微颗粒基板置入高温炉腔室中的第二温区，第二原料置入所述高温炉腔室中第一温区的坩埚中，其中，所述第一原料微颗粒包括氧化锡微颗粒、所述第二原料包括掺锡的氧化铟，或者所述第一原料微颗粒包括氧化铟微颗粒、所述第二原料包括掺铟的氧化锡，向所述高温炉腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述高温炉腔室抽真空使所述高温炉腔室内的真空度到预设值；对所述第一温区和所述第二温区加热，使所述第二原料高温挥发成蒸汽；使所述蒸汽中的金属成分在第一原料微颗粒处冷凝、所述蒸汽中的金属氧化物成分以冷凝在所述第一原料微颗粒上的金属液滴为原位生长纳米晶，直至形成氧化铟/氧化锡网状结构复合材料；

所述掺锡的氧化铟中锡的质量分数为2％～5％，所述掺铟的氧化锡中锡的质量分数为2％～5％。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一原料微颗粒包括第一原料实心微颗粒和/或第一原料空心微颗粒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一原料微颗粒包括实心氧化锡微颗粒，所述实心氧化锡微颗粒的制备方法包括：配置浓度为0.3～0.8mol/L的锡盐溶液；向所述锡盐溶液中加入NaOH或氨水，调节所述锡盐溶液的pH值在10～12，得到碱性锡盐溶液；对所述碱性锡盐溶液进行搅拌处理后，加入无水乙醇得到锡盐乳浊液；对所述乳浊液依次进行加热、冷却、离心、清洗和干燥处理，得到实心氧化锡微颗粒。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一原料微颗粒包括空心氧化锡微颗粒，所述空心氧化锡微颗粒的制备方法包括：将制备好的碳球均匀的分散在四氯化锡盐溶液中，使所述碳球表面羟基官能团通过配位或者静电作用与所述四氯化锡盐溶液中的Sn⁴⁺阳离子相结合；对混有所述碳球的四氯化锡盐溶液进行高温煅烧，使所述碳球表面的金属阳离子浓缩和相互交联形成氧化锡球，所述碳球在高温下与氧气反应生成CO₂挥发掉，得到空心氧化锡微颗粒。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述碳球的制备方法包括：利用葡萄糖水热法制备碳球，所述碳球的直径为400nm～600nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温区的温度为1000～1600℃，所述第二温区的温度为300～600℃。

7.根据权利要求1-6任一所述的In₂O₃/SnO₂复合材料的生长方法，其特征在于，所述惰性保护气体包括氮气保护气体或氩气保护气体。

8.一种微纳网状结构氧化铟/氧化锡复合材料，其特征在于，所述复合材料为利用权利要求1-7中的任一生长方法所获取的，其中：所述复合材料包括第一原料微颗粒和生长在所述第一原料微颗粒上的第二原料纳米晶，所述第二原料纳米晶连接构成网状结构；所述第一原料微颗粒包括氧化锡微颗粒、所述第二原料纳米晶包括氧化铟纳米晶，或者所述第一原料微颗粒包括氧化铟微颗粒、所述第二原料纳米晶包括氧化锡纳米晶。

9.根据权利要求8所述的复合材料，其特征在于，第二原料纳米晶包括一维或准一维柱状纳米晶。