[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，通过所谓的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件。

背景技术

通过切割装置、激光加工装置等将由分割预定线划分而在半导体基板的正面形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件，分割得到的各个器件被应用在移动电话、个人计算机等电子设备中。

并且，作为能够使器件的抗弯强度提高并且将晶片一次分割成各个器件的生产性良好的分割方法，提出了等离子蚀刻的技术(例如，参照专利文献1。)。

专利文献1：日本特开2002-093752号公报

根据上述专利文献1所记载的等离子蚀刻的技术，虽然可以期待生产效率较高且分割得到的器件的抗弯强度良好的效果，但在晶片的正面上将用于保护器件的抗蚀膜形成为均匀的厚度是比较困难的，在执行等离子蚀刻时，该抗蚀膜也稍微被蚀刻，所以存在如下问题：当在抗蚀膜较薄的部分进行蚀刻时，器件会局部露出，器件的品质降低。并且，当在分割预定线上层叠了包含TEG(测试元件组)的金属膜的情况下，还存在等离子蚀刻被遮蔽而无法利用等离子蚀刻进行分割的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。

优选将在该保护膜形成工序中使用的液状树脂作为水溶性树脂，在该保护膜去除工序中利用水将保护膜去除。并且，通过SiO₂膜、Si₃N₄膜以及聚酰亚胺膜中的任意的膜来形成该钝化膜，半导体基板是硅基板，将在等离子蚀刻中使用的气体设为氟系气体，能够通过以上方式来实施上述晶片的加工方法。

本发明的晶片的加工方法将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割，由此，在对正面上层叠有钝化膜的晶片执行等离子蚀刻的情况下所需的、使半导体基板沿着分割预定线露出的工序中，即使因激光光线的照射而产生的加工屑、所谓的碎屑飞散到外部，也能够通过具有该保护膜而不会附着在器件的正面，防止了器件的品质降低。

并且，在执行等离子蚀刻时，由于将层叠于器件的正面的钝化膜作为等离子蚀刻时的遮蔽膜来进行利用，所以不需要形成较难均匀涂布的抗蚀膜(1～5μm)，也抑制了将该抗蚀膜作为遮蔽膜来实施等离子蚀刻时的品质的降低。

附图说明

图1的(a)和(b)是对在本发明的晶片加工方法中加工的晶片进行说明的说明图。

图2的(a)和(b)是用于对在本发明的晶片加工方法中实施的保护膜形成工序进行说明的说明图。

图3是用于对本发明的晶片加工方法中的半导体基板露出工序进行说明的说明图。

图4的(a)和(b)是用于对本发明的保护膜去除工序进行说明的说明图。

图5的(a)和(b)是用于对为了实施本发明的分割工序而使用的等离子蚀刻装置的概略进行说明的说明图。

标号说明

10：晶片；10a：半导体基板；10b：半导体基板露出区域；10c：分割槽；12：分割预定线；14：器件；16：钝化膜；18：金属膜；20：保护膜形成装置；21：保护膜；22：保持单元；24：吸附卡盘；26：喷射喷嘴；28：紫外线照射器；30：激光加工装置；32：激光光线照射单元；40：等离子蚀刻装置；41：气体提供部；42：腔；43：蚀刻气体提供单元；44：卡盘工作台；45：排气口；46：高频电源。