[发明专利]晶圆级影像传感芯片的封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

透明基材，所述透明基材具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，所述第二表面的周边形成有金属重布线区域，所述金属重布线区域包括介质层和在其内部或表面形成的金属布线，所述金属布线上设置有一个或多个第一金属互连结构以及一个或多个第二金属互连结构；

芯片，所述芯片包括正面和背面，所述芯片的正面具有一个或多个凸点、功能区以及在所述凸点与功能区之间形成电连接的电路，所述芯片的正面面对所述透明基材的第二表面，所述芯片的正面的一个或多个凸点分别与所述透明基材上的对应的第一金属互连结构电连接；

密封盖，所述密封盖包括第一面以及与第一面相对的第二面，所述密封盖的第一面面对所述透明基材的第二表面，在所述密封盖的第一面中具有用于容纳所述芯片的密封槽，所述芯片的背面附连到所述密封槽的槽底，所述密封盖还包括设置在所述密封槽的侧壁上从所述第一面延伸到所述第二面的一个或多个通孔，所述通孔内设置有导电件，所述导电件与所述密封盖的第一面上的一个或多个第一焊盘电连接，并且所述导电件与所述密封盖的第二面上的一个或多个第二焊盘电连接，所述一个或多个第一焊盘分别与所述透明基材上的对应的第二金属互连结构电连接；以及

密封圈，所述密封圈夹在所述密封盖的第一面和所述透明基材的第二面之间，并且使得由密封槽与透明基材形成的空间密封。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括形成在所述透明基材的第一表面和/或第二表面上的增透膜或防反射膜。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述通孔内的导电件为实心导电件或涂覆在通孔内壁的导电层。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，密封圈由一层或多层金属层形成，所述密封圈的材料选自：铜、钛、银、金、锡及其合金。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述密封盖的第二面上具有重布线层、设置在重布线层上的所述一个或多个第一焊盘、和/或所述第一焊盘上的焊料凸起。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述密封盖的第一面上具有重布线层、设置在重布线层上的所述一个或多个第二焊盘、和/或所述第二焊盘上的焊料凸起。

7.一种封装结构的制造方法，包括：

在衬底的第一面上形成密封槽和孔洞作为密封盖；

在所述孔洞内形成导电件并在所述衬底的第一面上形成一个或多个第一焊盘；

在所述衬底的第一面上形成包围所述密封槽的第一密封层；

将芯片的背面附连到密封槽的槽底，其中所述芯片包括正面和背面，所述芯片的正面具有一个或多个凸点、功能区以及在所述凸点与功能区之间形成电连接的电路；

在透明基材的一表面的周边形成金属重布线区域，所述金属重布线区域包括介质层和在其内部或表面形成的金属布线，并在所述金属布线上设置一个或多个第一金属互连结构以及一个或多个第二金属互连结构，所述芯片的正面的一个或多个凸点分别与所述第一金属互连结构中的一个相对应，且所述一个或多个第一焊盘分别与所述第二金属互连结构中的一个相对应；

在透明基材的所述表面上形成与所述第一密封层对应的第二密封层；

将所述透明基材与所述密封盖及所述芯片对位并键合，使得所述芯片的正面的一个或多个凸点分别与对应的第一金属互连结构形成电连接，所述一个或多个第一焊盘分别与对应的第二金属互连结构形成电连接，且所述第一密封层与所述第二密封层接合形成密封结构；

在所述密封盖的第二面形成导电结构。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底选自：半导体衬底、金属衬底、聚合物衬底或玻璃衬底。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在所述孔洞内形成导电件之前在所述衬底的表面、所述密封槽的表面以及所述孔洞的侧壁上形成绝缘层。