[发明专利]保护电路、设备及通信系统在审
| 申请号: | 201710501485.6 | 申请日: | 2017-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN107196280A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
| 发明(设计)人: | 徐家林 | 申请(专利权)人: | 深圳市泰衡诺科技有限公司上海分公司 |
| 主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,刘芳 |
| 地址: | 201203 上海市自由贸易试*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 保护 电路 设备 通信 系统 | ||
技术领域
本发明实施例涉及电路防护器件技术领域,尤其涉及一种保护电路、设备及通信系统。
背景技术
瞬态电压抑制(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)二极管,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,TVS二极管能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。
然而,目前现有的TVS二极管用在各类芯片的通信端口时,由于其吸收瞬时功率有限,因此无法处理由于巨大的地电流浪涌而发生的逆转效应,也无法处理由于巨大的浪涌影响使得瞬间电压过高时,芯片发生的传输信号混乱的现象。
发明内容
本发明实施例提供一种保护电路、设备及通信系统,用于解决现有技术现有的TVS二极管用在各类芯片的通信端口时,无法处理由于巨大的地电流浪涌而发生的逆转效应,也无法处理由于巨大的浪涌影响使得瞬间电压过高时,芯片处理时发生的信号混乱的现象的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供一种保护电路,包括:
瞬态电压抑制TVS二极管、电阻和电容;
其中,所述TVS二极管的第一端与所述电阻的一端在第一连接点处连接;所述TVS二极管的第二端接地;
所述电容的一端与所述电阻的另一端在第二连接点处连接;所述电容的另一端与所述TVS二极管的第二端连接。
在第一方面的一种可能的实现方式中,所述TVS二极管为单向TVS二极管或双向TVS二极管。
在第一方面的另一种可能的实现方式中,所述TVS二极管为单向TVS二极管时,所述TVS二极管的第一端为负极;所述TVS二极管的第二端为正极。
在第一方面的另一种可能的实现方式中,所述TVS二极管的型号为ZPD27;所述电阻的阻值为715Ω;所述电容的电容值为1uF。
第二方面,本发明实施例提供一种电子设备,包括:
通信接口,以及如第一方面任一项中所述的保护电路;
其中,所述通信接口的一端与所述保护电路的第二连接点连接。
在二方面的一种可能的实现方式中,还包括:
处理器,与所述通信接口的另一端连接。
第三方面,本发明实施例提供一种外部设备,包括:
通信接口,以及如第一方面任一项中所述的保护电路;
其中,所述通信接口的一端与所述保护电路的第一连接点连接。
第四方面,本发明实施例提供一种通信系统,包括:
如第二方面中所述的电子设备,以及外部设备;
其中,所述外部设备的通信接口与所述保护电路的第一连接点连接。
第五方面,本发明实施例提供一种通信系统,包括:
电子设备,以及如第三方面中所述的外部设备;
其中,所述电子设备的通信接口与所述保护电路的第二连接点连接。
第六方面,本发明实施例提供一种通信系统,包括:
电子设备、外部设备以及如第一方面任一项中所述的保护电路;
其中,所述电子设备的通信接口与所述保护电路的第二连接点连接;
所述外部设备的通信接口与所述保护电路的第一连接点连接。
本发明实施例提供的保护电路、设备及通信系统,保护电路,包括:瞬态电压抑制TVS二极管、电阻和电容;其中,所述TVS二极管的第一端与所述电阻的一端在第一连接点处连接;所述TVS二极管的第二端接地;所述电容的一端与所述电阻的另一端在第二连接点处连接;所述电容的另一端与所述TVS二极管的第二端连接,TVS二极管用于吸收和泄防静电的绝大部分能量,电容可以吸收静电的部分能量,电阻R1和电容C1可以组成RC滤波电路对传输信号进行滤波,保持通信传输信号的完整性,因此上述保护电路可以有效的在泄放静电的同时保持着通信传输信号的信号完整性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的保护电路一实施例的结构示意图;
图2为本发明提供的通信系统一实施例的结构示意图;
图3为本发明提供的电子设备一实施例的结构示意图;
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