[发明专利]一种显示器阵列基板、制备方法和显示器

权利要求书

1.一种显示器阵列基板，包括：

光敏感应信号采集模块，用于采集手指谷脊反射的电致发光EL层出射的光信号，将所述采集的光信号转变为电信号进行输出；

其中，所述光敏感应信号采集模块包括光电传感单元和开关单元，所述光电传感单元和开关单元设置在电致发光二极管阵列基板的像素补偿电路层与阳极层之间，所述EL层在所述阳极层与阴极层之间；所述像素补偿电路层在靠近所述阵列基板衬底的一侧，所述阴极层在远离所述阵列基板衬底的一侧；

所述像素补偿电路包括第一薄膜晶体管；所述开关单元包括第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：

所述光电传感单元，用于采集手指谷脊反射的所述EL层出射的光信号，将所述采集的光信号转变为电信号，在接收到开关单元的控制信号后进行输出；

所述开关单元，用于向所述光电传感单元发送控制信号，所述控制信号用于触发所述光电传感单元输出电信号。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述光电传感单元设置在所述开关单元的上方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：

所述光电传感单元是光电二极管，所述光电二极管包括：第一电极、感光材料层和第二电极，所述第一电极与所述氧化物薄膜晶体管的源极连接，所述第二电极与一个提供固定电压的电源连接；

所述氧化物薄膜晶体管的栅极连接控制信号线，所述控制信号线上的控制信号用于控制所述氧化物薄膜晶体管的截止或导通；所述氧化物薄膜晶体管的漏极连接数据读取信号线，所述数据读取信号线用于采集所述光电传感单元输出的电流信号。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于：

所述光敏感应信号采集模块在所述阵列基板中呈阵列分布。

6.一种显示器阵列基板的制备方法，包括：

在电致发光二极管阵列基板的衬底上形成像素补偿电路层，所述像素补偿电路包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管；

在所述像素补偿电路层的上层形成包含光敏感应信号采集模块的结构层，所述光敏感应信号采集模块用于采集手指谷脊反射的电致发光EL层出射的光信号，将所述采集的光信号转变为电信号进行输出；所述光敏感应信号采集模块包括光电传感单元和开关单元；所述开关单元包括第二薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管；

在所述包含光敏感应信号采集模块的结构层的上方形成阳极层，使所述光电传感单元和所述开关单元设置在像素补偿电路层与阳极层之间，在所述阳极层的上方形成EL层，在所述EL层的上方形成阴极层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述光电传感单元，用于采集手指谷脊反射的所述EL层出射的光信号，将所述采集的光信号转变为电信号，在接收到所述开关单元的控制信号后进行输出；

所述开关单元，用于向所述光电传感单元发送控制信号，所述控制信号用于触发所述光电传感单元输出电信号。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述在电致发光二极管阵列基板的衬底上形成像素补偿电路层，包括：在所述衬底上形成低温多晶硅薄膜晶体管：

在所述衬底上形成多晶硅有源层；

形成覆盖所述多晶硅有源层的第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上形成第一栅极；

形成覆盖所述第一栅极的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极通过开设在层间绝缘层和第一栅绝缘层上的过孔与多晶硅有源层连通；

在所述层间绝缘层上形成覆盖所述第一源极和第一漏极的钝化层。