[发明专利]基板升降机构、基板载置台和基板处理装置有效
申请号: | 201710499522.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107546171B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 伊藤毅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降 机构 基板载置台 处理 装置 | ||
本发明提供即使在基板载置台的主体产生了变形时也能将升降销的高度位置控制在所期望的位置的基板升降机构、基板载置台和基板处理装置。在等离子体处理装置的处理容器内,设置在基板载置台(3)的载置台主体(5)的多个使基板升降的基板升降机构(8)包括:插通在基板载置台主体(5)的插通孔(5a)中、以相对于基板载置面突出和没入的方式可升降地设置、用其顶端支承基板的升降销(51);在其内部可升降地支承升降销(51)且对升降销(51)进行引导的升降‑引导部(52);和对升降销(51)进行升降驱动的驱动部(54),升降‑引导部(52)和驱动部(54)由载置台主体(5)支承,且不由处理容器(底壁2a)支承。
技术领域
本发明涉及使基板相对于基板处理装置的基板载置台升降的基板升降机构、基板载置台和基板处理装置。
背景技术
在平板显示器(FPD)的制造过程中,对被处理基板进行蚀刻、溅射、CVD(化学气相沉积)等的等离子体处理。
在进行这样的等离子体处理的等离子体处理装置中,以在设置于能够真空排气的腔室内的基板载置台上载置有基板的状态进行处理。基板在基板载置台的装载和卸载通过利用基板升降机构使基板升降来进行。基板升降机构具有贯通基板载置台并进行升降的升降销,在与基板对应的多处设置。而且,在装载基板时,使升降销形成为从载置台主体的表面突出的状态,将装载于搬送臂的基板转移至销之上,使升降销下降。另外,在将基板卸载时,从基板载置于载置台主体的状态使升降销上升而使基板从载置台主体表面上升,在该状态下将基板转移至搬送臂。这样的技术是惯用技术,例如在专利文献1中公开。
在等离子体处理时,对基板载置台施加等离子体生成用的高频电力或者偏置施加用的高频电力,在专利文献2中记载了在对FPD用的玻璃基板那样的绝缘性基板进行等离子体处理的情况下,作为升降销使用导电性的部件,使得等离子体在升降销的位置不会变得不均匀,在使其与基板载置台同电位并且升降销处于退避位置时,严格地调整该顶端的高度位置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-340208号公报
专利文献2:日本特开2007-273685号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,如上述专利文献2所记载的方式,当前,用于使升降销升降的机构部安装在腔室主体,升降销自身也设置在其机构部。
因此,在基板载置台的主体因热的因素等而产生了变形的情况下,担心升降销自身有可能无法追随其变形,有时无法将升降销的高度位置控制在所期望的位置。
所以,本发明的课题在于提供即使在基板载置台的主体产生了变形的情况下,也能够将升降销的高度位置控制在所期望的位置的基板升降机构、具有这样的基板升降机构的基板载置台和基板处理装置。
用于解决课题的方法
为了解决上述技术问题,本发明的第1观点在于提供一种基板升降机构,其在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内,在载置基板的基板载置台的载置台主体设置多个,使基板升降,上述基板升降机构的特征在于,包括:升降销,其插通在上述基板载置台主体的插通孔中,以相对于基板载置面突出和没入的方式可升降地设置,用其顶端支承基板;升降-引导部,在其内部可升降地支承上述升降销,且对升降销进行引导;和驱动部,对上述升降销进行升降驱动,上述升降-引导部和上述驱动部由上述载置台主体支承,且不由上述处理容器支承。
在上述第1观点中,可以还包括设置在上述载置台主体的内部、将上述升降-引导部气密地安装的安装部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造