[发明专利]麦克风及其制造方法在审
| 申请号: | 201710499402.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN109151689A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 张建华;汪新学;王明军;王贤超 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李浩 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 振动膜层 绝缘物层 背极板 衬底 麦克风 保护层 悬臂梁 包围 开孔 半导体技术领域 结构形成 气流压力 制造 横跨 测试 覆盖 贯穿 | ||
1.一种麦克风,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底形成有贯穿所述衬底的开孔;
在所述衬底之上且覆盖在所述开孔上方的背极板结构;
在所述背极板结构的部分上的间隙绝缘物层;
在所述间隙绝缘物层上的振动膜层,其中,所述振动膜层、所述间隙绝缘物层和所述背极板结构形成第一间隙;以及
在所述衬底之上包围所述背极板结构、所述间隙绝缘物层和所述振动膜层的保护层;其中,所述保护层包括:在所述背极板结构、所述间隙绝缘物层和所述振动膜层周围的包围部和在所述包围部上且横跨在所述振动膜层上方的悬臂梁部,所述悬臂梁部和所述振动膜层形成第二间隙。
2.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,
所述悬臂梁部包括:在所述包围部上且横跨在所述振动膜层上方的主体部。
3.根据权利要求2所述的麦克风,其特征在于,
所述悬臂梁部还包括:在所述主体部上且朝向所述振动膜层凸出的凸起部。
4.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,
所述保护层包括:互相交叉设置的至少两个悬臂梁部,或者互相平行设置的至少两个悬臂梁部。
5.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,
所述第二间隙的高度与所述第一间隙的高度基本相等。
6.根据权利要求3所述的麦克风,其特征在于,
所述第二间隙的高度范围为1.8μm至2.8μm;
所述凸起部的高度范围为0.4μm至0.6μm。
7.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,
所述背极板结构包括:在所述衬底之上的第一绝缘物层、在所述第一绝缘物层上的电极板层和在所述电极板层上的第二绝缘物层。
8.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,还包括:在所述衬底和所述背极板结构之间的隔离层。
9.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,
所述背极板结构形成有将所述开孔和所述第一间隙连通的第一通孔;
所述振动膜层形成有将所述第一间隙和所述第二间隙连通的第二通孔。
10.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,还包括:
在所述背极板结构上且朝向所述振动膜层凸出的阻挡部。
11.根据权利要求7所述的麦克风,其特征在于,
所述间隙绝缘物层和所述第二绝缘物层形成有露出所述电极板层的一部分的第一开口,所述保护层形成有露出所述振动膜层的一部分的第二开口;
所述麦克风还包括:在所述第一开口中的与所述电极板层连接的第一接触件和在所述第二开口中的与所述振动膜层连接的第二接触件。
12.一种麦克风的制造方法,其特征在于,包括:
提供半导体结构,所述半导体结构包括:衬底,在所述衬底之上的背极板结构,在所述背极板结构上的间隙绝缘物层,以及在所述间隙绝缘物层上的振动膜层;
在所述振动膜层上形成图案化的牺牲层;
在所述衬底之上形成包围所述背极板结构、所述间隙绝缘物层和所述振动膜层的保护层,其中,所述保护层还覆盖所述牺牲层;
对所述保护层进行图案化以使得所述保护层的覆盖所述牺牲层的部分形成横跨在所述振动膜层上方的悬臂梁部;
对所述衬底执行背面刻蚀以形成贯穿所述衬底的开孔;以及
在形成所述开孔之后,去除所述间隙绝缘物层的一部分和所述牺牲层的至少一部分;其中,所述振动膜层、所述间隙绝缘物层的剩余部分和所述背极板结构形成第一间隙,所述悬臂梁部和所述振动膜层形成第二间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710499402.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





