[发明专利]数据存储方法、设备及计算机可读存储介质

说明书

本发明公开了一种数据存储方法、设备及计算机可读存储介质，所述数据存储方法包括：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。本方案中数据搬移阈值作为存储器中数据块的搬移触发条件，当前擦除频度表征存储器的当前擦除次数，数据块搬移时，需要进行相应的擦除操作，从而通过存储器的当前擦除频度，可获知存储器的实际搬移次数，进而根据当前擦除频度，调整数据搬移阈值，以便对数据块进行搬移操作，在搬移的过程中，对存储单元进行充电，对浮栅电荷进行补充，避免数据丢失，延长存储器中数据的保存时间。

技术领域

本发明主要涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种数据存储方法、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

在通讯设备领域，Nand-flash存储器以其大容量、高吞吐、低功耗、耐震、发热量小的优点，越来越被用来存储程序和数据。随着厂商的半导体工艺的不断升级，以及为了满足对日益增长的容量需求，Nand-flash存储器的工艺尺寸不断缩小。但是Nand-flash存储器是基于浮栅电荷存储实现数据的保存，随着工艺尺寸不断缩小，Nand-flash存储器的存储单元浮栅结构的几何尺寸不断缩小，导致绝缘层越来越薄，电荷泄漏越来越严重，浮栅电荷数量减少，而浮栅电荷的丢失将会导致数据错误产生，使数据保持能力严重下降，数据保存时间越来越短。

同时，Nand-flash存储器还有一个技术缺陷就是读干扰，由于Nand-flash的存储单元是串联在一起的，当读出某一存储单元数据时，需要给其它单元施加电压使其导通。施加的电压虽然比较低，但也可能促使少量电荷注入或泄漏，从而影响了数据的保存时间。也就是说，即使数据保存在一个地方不搬移，也会因为读取附近的数据而导致其出错。

现有的解决方案是增加ECC(Error Correction Code)可纠错比特数来提升纠错能力。但增加可纠错比特数，纠错电路复杂度呈级数增加，所以可纠错比特数是很有限的。随着Nand-flash存储器工艺尺寸不断缩小，数据保存时间的增加，数据错误的产生会爆发式增长，一旦超出可纠错范围，将无法纠正。能否提高Nand-flash存储器的数据存储能力，将影响Nand-flash存储器能否作为未来工业级存储解决方案的关键。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种数据存储方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决现有数据存储的有效存储时间短、易出错的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种数据存储方法，所述数据存储方法包括以下步骤：

获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；

根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。

优选地，所述根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整的步骤包括：

根据存储器中预设的擦除频度与数据搬移阈值映射关系参考值，获取与当前擦除频度对应的参考数据搬移阈值；

将数据搬移阈值调整为参考数据搬移阈值。

优选地，所述根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移的步骤包括：

统计存储器中各数据块增加的擦除次数，并判断是否存在目标数据块，其中目标数据块为增加的擦除次数大于或等于调整后的数据搬移阈值的数据块；

当存在所述目标数据块时，对目标数据块进行搬移。

优选地，所述当存在所述目标数据块时，对目标数据块进行搬移的步骤包括：

当存在目标数据块时，获取数据块中擦除次数最少的数据块，并将所述擦除次数最少的数据块作为待交换数据块；

将所述目标数据块和待交换数据块交换，完成数据块的搬移。