[发明专利]胶带粘附设备有效
申请号: | 201710497223.7 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107622970B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 金映敏;李周炯;李海求 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 胶带 粘附 设备 | ||
公开了一种胶带粘附设备,所述胶带粘附设备包括具有下腔室和上腔室的腔室。下腔室包括第一内部空间,上腔室包括第二内部空间。胶带片被设置在上腔室与下腔室之间。基板支撑件在下腔室内是向上和向下可移动的,并且被构造为支撑基板。压力差发生器被构造为在第一内部空间与第二内部空间之间产生压力差。带支撑板被设置在下腔室的第一侧壁与基板的圆周边缘之间。当胶带片在压力差产生在第一内部空间与第二内部空间之间时向下朝着第一内部空间弯曲时,带支撑板被构造为接触胶带片的至少一部分。
本申请要求于2016年7月13日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2016-0088382号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种胶带粘附(adhesive tape sticking,也被称为贴胶带)设备,更具体地,涉及一种利用该胶带粘附设备制造半导体封装件的方法。
背景技术
在将胶带片附着到半导体晶圆的有效表面或背侧之后,可以对半导体晶圆执行诸如切割工艺的封装工艺。例如,可以将被称作切割带的可变形片附着到半导体晶圆,可以通过锯切装置将切割带切割为多个裸片(die)。可以通过带扩展装置使切割带放射状地扩展,因此可以使裸片彼此分离。
在真空晶圆安装装置中,可以使用真空压力使胶带片向着晶圆拉伸,并且然后粘附在晶圆的表面上。在这种情况下,可以由圆筒式卷绕装置提供胶带片。因此,由于在胶带片被粘附在晶圆上时可能出现的内部残余应力或张力,胶带片的拉伸部分可能不会回到其原始位置,因此,可能会在与晶圆相邻的部分中产生褶皱。可以使用加热装置通过一个或更多个加热工艺来去除褶皱。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种胶带粘附设备,该胶带粘附设备被构造为在半导体晶圆上粘附切割胶带并且不在切割胶带中产生褶皱。
本发明构思的示例性实施例提供了一种使用胶带粘附设备制造半导体封装件的方法。
根据本发明构思的示例性实施例,胶带粘附设备包括具有下腔室和上腔室的腔室。下腔室包括第一内部空间,上腔室包括第二内部空间。胶带片被设置在上腔室与下腔室之间。基板支撑件在下腔室内是向上和向下可移动的,并且被构造为支撑基板。压力差发生器被构造为在第一内部空间与第二内部空间之间产生压力差。带支撑板被设置在下腔室的第一侧壁与基板的圆周边缘之间。当胶带片在压力差产生在第一内部空间与第二内部空间之间时向下朝着第一内部空间弯曲时,带支撑板被构造为接触胶带片的至少一部分。
根据本发明构思的示例性实施例,胶带粘附设备包括:下腔室,包括限定第一内部空间的底壁和第一侧壁;上腔室,包括限定第二内部空间的顶壁和第二侧壁。基板支撑件在下腔室内是向上和向下可移动的,并且被构造为支撑基板。压力差发生器被构造为当胶带片被设置在下腔室与上腔室之间时在第一内部空间与第二内部空间之间产生压力差。带支撑板从第一侧壁的上部分的内表面向着基板的圆周边缘延伸。当胶带片在压力差产生在第一内部空间与第二内部空间之间时向下朝着第一内部空间弯曲时,带支撑板被构造为接触胶带片的至少一部分。
根据本发明构思的示例性实施例,一种设备可以包括:第一腔室,包括第一内部空间;第二腔室,包括第二内部空间;胶带片,结合到环形框架,其中,环形框架被设置在第一腔室与第二腔室之间,其中,胶带片在第一内部空间与第二内部空间之间建立气密密封;第一真空装置,连接到第一内部空间,其中,第一真空装置被构造为在第一内部空间中建立第一压力;第二真空装置,连接到第二内部空间,其中,第二真空装置被构造为在第二内部空间中建立第二压力;带支撑板,设置在第一腔室和第二腔室中的一个腔室的侧壁上,其中,带支撑板被定位、成形且被确定尺寸,使得带支撑板当在第一内部空间与第二内部空间之间的压力差引起胶带片向着带支撑板弯曲时接触和支撑胶带片的至少一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710497223.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:二维纳米物质的处理装置及其方法
- 下一篇:半导体装置以及半导体装置用壳体
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造