[发明专利]一种半导体二极管器件封装结构

说明书

本发明涉及一种半导体二极管器件封装结构，属于半导体封装技术领域，所述半导体二极管器件封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属‑树脂复合材料胶膜以及背板。本发明采用新型的复合材料胶膜对半导体二极管器件进行封装，提高了半导体二极管器件的使用寿命，且该封装结构具有稳定性好、性能优越、耐候性好等优点。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体二极管器件封装结构。

背景技术

近年来，半导体二极管器件常应用树脂材料进行封装，特别是针对太阳能电池或光电探测器，常规的封装结构为透明盖板、EVA封装胶层、太阳能电池层或光电探测器层、EVA封装胶层以及背板，因此，如何设计一种综合性能优异的封装结构，是业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体二极管器件封装结构。

为实现上述目的，本发明提出的一种半导体二极管器件封装结构，所述半导体二极管器件封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属-树脂复合材料胶膜以及背板；

所述树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物层、第一硅胶树脂粘结层、聚对苯二甲酸乙二醇酯基层、第二硅胶树脂粘结层以及第一乙烯-四氟乙烯共聚物层，其中所述聚对苯二甲酸乙二醇酯基层中开设有多个贯穿所述聚对苯二甲酸乙二醇酯基层的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱，所述第一环氧树脂粘结加强柱连接所述第一硅胶树脂粘结层和所述第二硅胶树脂粘结层；

所述金属-树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物层、第三硅胶树脂粘结层、金属基层、第四硅胶树脂粘结层以及第二乙烯-四氟乙烯共聚物层，其中所述金属基层中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱，所述第二环氧树脂粘结加强柱连接所述第三硅胶树脂粘结层和所述第四硅胶树脂粘结层。

作为优选，所述第一乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物层的厚度为200-400微米，所述第一硅胶树脂粘结层和所述第二硅胶树脂粘结层的厚度范围为400-800纳米，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯基层的厚度为300-500微米，所述第一乙烯-四氟乙烯共聚物层的厚度为100-200微米，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯基层中的多个通孔呈矩阵排列。

作为优选，所述第二乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物层的厚度为100-500微米，所述第三硅胶树脂粘结层和所述第四硅胶树脂粘结层的厚度为500-900纳米，所述金属基层的厚度为600-900微米，所述第二乙烯-四氟乙烯共聚物层的厚度为100-300微米，所述金属基层中的多个通孔呈矩阵排列。

作为优选，所述金属基层的材质为铝、铜和不锈钢中的一种。

作为优选，所述半导体二极管器件层中的半导体二极管器件为太阳能电池或光电探测器。

作为优选，所述背板为金属背板或TPT背板。

本发明的有益效果如下：

本发明的树脂复合材料胶膜和金属-树脂复合材料胶膜中，通过在聚对苯二甲酸乙二醇酯基层或金属基层中设置贯穿通孔，使得基层两侧的硅胶树脂粘结层通过环氧树脂粘结加强柱连接，提高了复合材料胶膜的粘附力和稳定性，避免发生剥离。

本发明的金属-树脂复合材料胶膜中通过设置金属基层，可以有效反射透过半导体二极管器件层的光，进而提高光的利用率。

本发明通过在靠近半导体二极管器件层侧的复合材料胶膜中设置乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物层，而远离半导体二极管器件层侧的复合材料胶膜中设置乙烯-四氟乙烯共聚物层，上述结构的设置，保证封装稳定性的同时提高了封装结构的耐候性。