[发明专利]一种用于医疗超声诊断的超声波发射电路在审
申请号: | 201710495810.2 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107518916A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 毛建智;赵兵 | 申请(专利权)人: | TCL医疗超声技术(无锡)有限公司 |
主分类号: | A61B8/00 | 分类号: | A61B8/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 丁慧玲,寿宁 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 医疗 超声 诊断 超声波 发射 电路 | ||
1.一种用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述发射电路包括:推挽输出模块,正负压调节模块,电源模块,其中,
所述推挽输出模块用于产生正负高压的激励脉冲;
所述正负压调节模块用于对推挽输出模块的正负高压进行调节,使推挽输出模块产生的正负高压的激励脉冲相对称;
所述电源模块用于为发射电路提供电压。
2.根据权利要求1所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述电源模块包括第一电源单元和第二电源单元,所述第一电源单元用于提供正电源电压,所述第二电源单元用于提供负电源电压。
3.根据权利要求2所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述推挽输出模块包括NMOS晶体管、PMOS晶体管、第一电容和第二电容,所述NMOS晶体管的栅极与第一电容相连;所述PMOS晶体管的栅极与第二电容相连;PMOS晶体管的漏极相连所述NMOS晶体管的源极和PMOS晶体管的漏极相连,且作为输出端与探头相连;所述NMOS晶体管的漏极连接第一电源单元,所述PMOS晶体管的源极连接第二电源单元。
4.根据权利要求2所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述正负压调节模块根据发射波形正负压的幅值差异,调节第一电源单元和第二电源单元的输出电压,从而使推挽输出模块产生的正负高压的激励脉冲相对称。
5.根据权利要求3所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述所述正负压调节模块包括第一调节单元和第二调节单元,所述第一调节单元设置在第一电源单元和NMOS晶体管之间,所述第一电源单元、第一调节单元和NMOS晶体管组成第一通路,所述一调节单元用于调节所述第一通路的电阻值;所述第二调节单元设置在PMOS晶体管和第二电源单元之间,所述PMOS晶体管、第二调节单元和第二电源单元组成第二通路,所述第二调节单元用于调节第二通路的电阻值。
6.根据权利要求5所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述第一通路电阻值等于第一调节单元的电阻值加上NMOS晶体管的导通时等效电阻值;所述第二通路电阻值等于第二调节单元的电阻值加上PMOS晶体管导通时的等效电阻值;当所第一通路的电阻值与所述第二通路的电阻值相等时,所述推挽输出模块产生的正负高压的激励脉冲相对称。
7.根据权利要求6所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述发射电路还包括第三调节单元和第四调节单元,所述第三调节单元一端连接在第一电源单元和第一调节单元之间,另一端连接在第一电容和NMOS晶体管的栅极之间,用于增大NMOS晶体管的导通充电电流;所述第四调节电源一端连接在第二电源单元和第二调节单元之间,另一端连接在第二电容和PMOS晶体管的栅极之间,用于增大PMOS晶体管的导通充电电流。
8.根据权利要求7所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路,其特征在于:
所述第三调节单元和第四调节单元的阻值均为1KΩ。
9.一种超声成像系统,包括如权利要求1-8中任意一项所述的用于医疗超声诊断的超声波发射电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL医疗超声技术(无锡)有限公司,未经TCL医疗超声技术(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710495810.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。