[发明专利]一种具有凸块结构的半导体封装结构在审
| 申请号: | 201710495380.4 | 申请日: | 2017-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN107492577A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
| 发明(设计)人: | 郑剑华;苏建国 | 申请(专利权)人: | 南通华隆微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 结构 半导体 封装 | ||
1.一种具有凸块结构的半导体封装结构,包括:
硅片,具有正面和与正面相对的背面;正面接触点;正面电极;背面电极;通孔,正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触;柱状铜凸块,形成于所述正面电极和背面电极上,所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸,并且所述柱状铜凸块具有相同的高度;透明封装胶,覆盖所述硅片的背面,并包覆所述柱状铜凸块且所述透明封装胶的背表面与所述柱状铜凸块的顶部齐平。
2.根据权利要求1所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:还包括在所述背面的环绕于所述柱状铜凸块周围的密封环结构。
3.根据权利要求2所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:所述密封环结构包括冗余焊盘和冗余凸块。
4.根据权利要求3所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:所述冗余凸块为耐腐蚀金属。
5.根据权利要求2所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:所述密封环结构包括环形金属层和形成于环形金属层上的金属围墙。
6.根据权利要求5所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:所述金属围墙为耐腐蚀金属。
7.根据权利要求2所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:所述透明封装胶均位于所述密封环结构的内侧。
8.根据权利要求1所述的具有凸块结构的半导体封装结构,其特征在于:还包括形成于所述他们封装胶上的隔离层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





