[发明专利]一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体

权利要求书

1.一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，其特征在于，包括以下操作：将原料装入坩埚内，坩埚封口后放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大；

其中，将坩埚放置于两段控温下降炉的上温区，上温区的温度升至850～880℃，下温区的温度升至720～780℃，恒温10～24h，使原料完全熔化；

所述炉体以500～5000mm/h的速度上升至坩埚底位于梯度区，然后以0.5～3mm/h的速度向上移动炉体，进行晶体生长；

晶体生长结束后，停止移动炉体，在低温区原位退火10～20h后，以15～50℃/h的速度降至室温，取出晶体；

所述原料为溴化镧和掺杂的盐，所述掺杂的盐为溴化铈、氯化铈、氟化铈中的一种，溴化镧和掺杂的盐的摩尔比例为100-x：x。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述坩埚为石英坩埚，或为内衬铂金筒的石英坩埚。

3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述溴化镧和掺杂的盐的摩尔比例为95:5。

4.根据权利要求1～3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述溴化镧的质量为500-1500g。

5.权利要求1所述的生长方法，其特征在于，包括步骤：

1)原料的称取：采用无水、纯度99.99％的LaBr₃和CeBr₃为原料，在手套箱内按比例称取LaBr₃和CeBr₃，在研钵中混合均匀，然后装于预先处理好的石英坩埚中；

2)坩埚熔封：将坩埚从手套箱中取出后迅速抽真空，并封口；

3)晶体生长：将坩埚置于两段控温下降炉内，进行化料、向上移动炉体生长和降温，生长结束后，将晶体从下降炉中取出。