[发明专利]液晶显示装置在审
申请号: | 201710493585.9 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107272265A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 黄善兴 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1343 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210038 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域,尤其涉及一种可以改善暗纹的液晶显示装置。
背景技术
FFS(Fringe Field Switching)技术属于LCD面板广视角技术,广视角技术主要是为了使面板的可视角更宽,也有助于画质、亮度等其它特色表现。传统的FFS像素一般为双畴结构,电极在中间和最两端部分有一定的拐角,配向角度沿着一个方向,配向方式为摩擦配向(rubbing)或光配向。
如图1所示,普通FFS显示装置包括上基板和下基板,下基板上设有公共电极和像素电极,像素电极为飞镖型,在电极中间有一定的拐角,正性液晶分子(Liquid Crystal,LC)位于上基板和下基板之间,液晶分子配向方向与像素电极的长度方向平行。如图2所示,普通FFS显示装置包括上基板和下基板,下基板上设有公共电极和像素电极,像素电极为飞镖型,在电极中间有一定的拐角,负性液晶分子(LC)位于上基板和下基板之间,液晶分子配向方向与像素电极的长度方向垂直。
传统FFS电极的分布方式导致像素沿中间部分向电极延伸方向电场强度强,电极外部至边缘部分电场较弱,因此易出现暗纹。
发明内容
发明目的:针对以上问题,本发明提出一种可以改善暗纹的液晶显示装置,通过改变电极的形状和配向方式使像素整个区域的电场较为均匀,从而改善暗纹。
技术方案:为实现本发明的目的,本发明所采用的技术方案是:一种液晶显示装置,包括上基板、下基板和设置在上下基板之间的液晶分子,上基板和下基板均设有相对设置的多个像素区域,下基板的每个像素区域设有公共电极和像素电极,以及设置在公共电极和像素电极之间的绝缘层,每个像素电极包括多个狭缝,每个狭缝呈直线状。上基板包括第一黑色矩阵、与第一黑色矩阵垂直的第二黑色矩阵以及位于第一黑色矩阵之间的色层,第二黑色矩阵穿过每个色层的中间并将每个色层分成两个子色层;第二黑色矩阵对应每个像素区域的中间。像素区域由第二黑色矩阵分成两个畴,上半个畴和下半个畴,液晶分子分别在上半个畴和下半个畴内的配向方向呈对称的关系。
当液晶分子为正性液晶分子,液晶分子分别在上半个畴和下半个畴之间的配向角度为5-10°,其角度为液晶分子的长轴的延伸方向与像素电极的狭缝延伸方向之间的角度。
当液晶分子为负性液晶分子,液晶分子分别在上半个畴和下半个畴之间的配向角度为5-10°,其角度为液晶分子的长轴的延伸方向与第二黑色矩阵的延伸方向之间的角度。
进一步地,像素电极包括n个狭缝,像素区域设有靠近第1个狭缝的第一侧边以及靠近第n个狭缝的第二侧边,第1个狭缝和第一侧边之间的距离等于第n个狭缝和第二侧边之间的距离。相邻狭缝之间的距离大于第1个狭缝和第一侧边之间的距离。
有益效果:本发明通过改变电极的形状和配向方式,从而使电极的整个区域电场较为均匀,能够改善暗纹。
附图说明
图1是传统FFS显示装置的像素单元液晶分子为正时的结构示意图;
图2是传统FFS显示装置的像素单元液晶分子为负时的结构示意图;
图3是本发明的一个实施例的FFS显示装置的像素单元液晶分子为正时的结构示意图;
图4是本发明的一个实施例的FFS显示装置的像素单元液晶分子为负时的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
本发明所述的可以改善暗纹的液晶显示装置包括上基板和下基板,以及设置在上基板和下基板之间的液晶分子(Liquid Crystal,LC)3,上基板和下基板均设有相对设置的多个像素区域,下基板的每个像素区域设有公共电极1和像素电极2,公共电极为面状电极。公共电极和像素电极之间设置绝缘层,绝缘层为无机绝缘层、有机绝缘层或无机绝缘层和有机绝缘层的混合绝缘层。每个像素电极包括多个狭缝,每个狭缝呈直线状。
上基板包括第一黑色矩阵、与第一黑色矩阵垂直的第二黑色矩阵以及位于第一黑色矩阵之间的色层,第二黑色矩阵穿过每个色层的中间并将每个色层分成两个子色层;第二黑色矩阵对应每个像素区域的中间。像素区域由第二黑色矩阵分成两个畴,即上半个畴和下半个畴,液晶分子分别在上半个畴和下半个畴内的配向方向呈对称的关系,以便形成双畴结构,提高周边电场与中心电场的均匀性,从而能够改善暗纹。
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