[发明专利]半导体封装用银合金线及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装用银合金线，其特征在于，包括以下重量百分比的组分，0.1-1.5％金，0.5-6.0％钯，0.003-0.006％钴，其余为银补足100％。

2.一种半导体封装用银合金线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①将银原料电解提纯，制备纯度大于99.999％的高纯银；

②通过真空熔炼制备中间合金，包括含6-15％钯的银钯合金，含0.2-0.8％钴的银钴合金；

③将步骤①剩余高纯银在950～1100℃下熔炼，并在惰性气体氛围下加入步骤2)中所述银钯合金、银钴合金和高纯金粉搅拌精炼，然后进行铸造拉伸，拉伸速度为4.0～10mm/min，得到Φ5-8mm的银合金棒；所述银合金棒含0.1-1.5％金，0.5-6％钯，0.003-0.006％钴，余量为银；

④将步骤③中所述银合金棒进行预拉伸，在氮气保护氛围350℃-480℃下连续退火，再进行超细拉伸，直至直径为15μm-50μm的银合金线；

⑤将步骤④中所述的银合金线在450℃-550℃，35-65米/分钟速度下连续退火。

3.根据权利要求2所述的银合金线的制备方法，其特征在于，将步骤⑤中制得的银合金线进行绕线，其中绕线张力为2～15g，绕丝速度为50～60m/min，线间距为4.5～5.5mm。

4.根据权利要求3所述的银合金线的制备方法，其特征在于，还包括：

⑥在绕线之前进行表面处理：将步骤⑤的银合金线用浓度为1～2％的盐酸进行酸洗，随后进行高纯水冲洗，再进行高压水射流冲洗，最后烘干。

5.根据权利要求2所述的银合金线的制备方法，其特征在于，步骤④中预拉伸后银线直径为50μm-100μm。

6.根据权利要求4所述的银合金线的制备方法，其特征在于，步骤⑥中连续酸洗烘干速度为65m/min，烘干温度为140-160℃。