[发明专利]评价高压环境对临近器件特性影响的测试方法在审
申请号: | 201710491285.7 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN109116210A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 陆宇 | 申请(专利权)人: | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高压环境 高压器件 缓冲器 标准单元库 测试 被测单元 测试单元 测试高压 测试芯片 低压器件 开启时刻 器件特性 选择器 延迟 测量 芯片 检测 | ||
【权利要求书】:
1.一种测试高压环境对标准单元影响的方法,测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响,以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。
2.如权利要求1所述的测试高压器件开启时刻影响的测试电路,其特征在于通过逻辑电路的设置选择不同级的缓冲器,从而控制高压器件的开启时刻。
3.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于在测试芯片内部设置选择器逻辑,通过选择器来控制测试单元的打开和关闭,以及高压器件的开启时刻,从而达到减少芯片面积的目的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海卓弘微系统科技有限公司,未经上海卓弘微系统科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710491285.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。