[发明专利]共面型薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种共面型薄膜晶体管，包括：

栅极(2)；

源极；

漏极；以及

沟道区(7)，位于源极和漏极之间；其中，

所述源极和漏极均包括位于底部的铜层(41)、以及位于所述铜层(41)上方且部分位于所述沟道区(7)侧面的钛层(42)；所述沟道区(7)内设有半导体层(5)，所述钛层(42)与所述半导体层(5)接触。

2.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述钛层(42)包括钛阻挡层(8)，所述钛阻挡层(8)设置于所述沟道区(7)侧面，所述钛阻挡层(8)覆盖所述铜层(41)，且隔离所述铜层(41)和半导体层(5)。

3.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的铜层和漏极的铜层(41)之间的距离大于所述源极的钛层和漏极的钛层(42)之间的距离。

4.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极绝缘层(3)，所述栅极绝缘层的下方是所述栅极，所述栅极绝缘层的上方是所述源极、漏极和半导体层。

5.根据权利要求4所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)采用SiO_X和SiN_X组合膜层,其中，SiN_X膜层位于所述栅极的上方，所述SiO_X膜层位于所述SiN_X膜层的上方。

6.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层(5)为IGZO半导体层。

7.一种阵列基板，包括纵横交错的栅极线和数据线，其特征在于，还包括权利要求1-6中任一项所述的共面型薄膜晶体管，所述共面型薄膜晶体管位于所述栅极线和数据线的交叉处。

8.一种制造共面型薄膜晶体管的方法，该方法包括：

第一步：形成栅极(2)；

第二步：形成覆于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)；

第三步：形成覆于所述栅极绝缘层(3)的源极和漏极，所述源极和漏极至少由金属钛形成的钛层构成，并在源极和漏极之间形成沟道区(7)，所述钛层位于沟道区；

第四步：形成位于沟道区内的半导体层(5)，半导体层与源极的钛层和漏极的钛层接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三步的具体步骤为：

在栅极绝缘层(3)上沉积由金属铜形成的铜层；

在铜层上涂布一层第一光阻层；

对第一光阻层进行曝光，光阻层上曝光的长度为a；同时对位于光阻层下方的铜层进行过刻处理，铜层刻蚀的长度为b，其中，b>a>0；

移除第一光阻层；

在铜层上沉积由金属钛形成的钛层，且钛层位于铜层的表面和侧面；

在钛层上涂布一层第二光阻层；

对第二光阻层进行曝光，光阻层上曝光的长度为a；同时对位于光阻层下方的钛层进行刻蚀处理，形成沟道区且沟道区侧面设有钛阻挡层；

移除第二光阻层。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二步的具体步骤为：

在栅极上覆盖SiN_X膜层；

在SiN_X膜层上形成SiO_X膜层。