[发明专利]一种SAR型ADC的高精度校准装置有效
申请号: | 201710488915.5 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107346975B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 李婷;郭仲杰 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10;H03M1/46 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sar adc 高精度 校准 装置 | ||
1.一种SAR型ADC的高精度校准装置,其特征在于,包括比较器(1),比较器(1)的负向输入端依次连接有高位电容阵列(6)、桥接电容(4)和低位电容阵列(5);高位电容阵列(6)与高位和偏移误差校准模块(3)连接,低位电容阵列(5)与低位和桥接电容校准模块(2)连接;高位电容阵列(6)和低位电容阵列(5)通过开关阵列(7)控制与数字控制逻辑(19)的导通;其中开关阵列(7)通过refp/refn方式连接;
所述高位和偏移误差校准模块(3)包括第一增益电容(8)、偏移误差校准(9)以及多个高位电容校准,偏移误差校准(9)与多个高位电容校准并联,第一增益电容(8)与偏移误差校准(9)连接;
所述多个高位电容校准包括与偏移误差校准(9)并列设置的高位C电容校准(10)、高位2C电容校准(11)、高位4C电容校准(12)、高位8C电容校准(13)和高位16C电容校准(14);所述低位和桥接电容校准模块(2)包括第二增益电容(17)和低位校准单元(18),第二增益电容(17)与低位校准单元(18)连接,所述偏移误差校准(9)、高位C电容校准(10)、高位2C电容校准(11)和高位4C电容校准(12)的结构为第一校准构型(15),第一校准构型(15)包括多个并列设置的电容,所述高位8C电容校准(13)和高位16C电容校准(14)的结构为第二校准构型(16),第二校准构型(16)比第一校准构型(15)多一个并联电容,所述低位校准单元(18)包括多个电容并联结构,多个电容并联结构与第二增益电容(17)顺序连接;靠近第二增益电容(17)的第一个电容并联结构为1个电容,电容并联结构的电容数量从第一个电容并联结构开始递增1个电容;校准的顺序为:首先加入偏移误差校准(9),然后加入低位和桥接电容校准模块(2),最后加入高位和偏移误差校准模块(3)。
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