[发明专利]PSVA像素结构

说明书

本发明涉及一种PSVA像素结构。该PSVA像素结构包括：上基板和与上基板相对设置的下基板，该上基板上设有公共电极，该下基板上设有钝化层、设置于该钝化层上的像素电极以及设置于该像素电极下方的金属层；该钝化层通过图形化形成有凸起部、侧壁以及沟槽底部，该像素电极仅覆盖于钝化层的凸起部以及沟槽底部。本发明的PSVA像素结构中，钝化层的沟槽侧壁无像素电极，去除横向电场，提高液晶效率。

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种PSVA像素结构。

背景技术

主动式薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示方面具有非常广的应用。

随着技术的发展，出现了相关的改进，聚合物稳定垂直配向(polymer-stabilizedvertical alignment，PSVA)广视角技术能够使液晶显示面板具有较快的响应时间、及穿透率高等优点，其特点是在配向膜表面形成聚合物突起，从而使液晶分子具有预倾角。一般的PSVA像素结构是在阵列基板上的用于沟道保护的钝化层(Passivation)做完后，将沉积在其上的像素电极做图案化处理。

如图1A及图1B所示，图1A为传统的PSVA像素立体示意图，图1B为传统的PSVA像素下基板剖面示意图，传统的PSVA像素包括上基板10和与上基板10相对设置的下基板20，上基板10上设有平面型的公共电极11，下基板20上设有钝化层21、设于钝化层21上的像素电极22及设置于像素电极22下方的金属层23，该像素电极22具有“米字型”图案。

如图2A，图2B及图2C所示，图2A为现有一种新型PSVA像素立体示意图，图2B为现有一种新型PSVA像素下基板剖面示意图，图2C为现有一种新型PSVA像素的电场示意图。该新型PSVA像素包括上基板210和与上基板210相对设置的下基板220，上基板210上设有平面型的公共电极211，下基板220上设有钝化层221、设置于钝化层221上的像素电极222以及设置于像素电极222下方的金属层223。新型的PSVA像素通过对钝化层221(Passivation layer，PV)进行图形化，凸起和凹陷交错出现，形成鱼骨形状的四畴结构，ITO(氧化铟锡)像素电极222为整面覆盖。相较于传统的PSVA像素，新型PSVA像素具有高穿透率、对ITO像素电极222的线宽/间隔(Line/Space)不敏感等优势。

如图2C所示，图中带箭头线条表示上基板210和下基板220之间的电场，钝化层221的沟槽形成后，ITO像素电极222为整面覆盖；如上图所示，沟槽侧壁有ITO像素电极222，该ITO像素电极222与上基板210上的平面型的ITO公共电极211形成的电场有横向分量——以带箭头曲线表示，该横向分量将影响液晶的一致性排列，降低液晶效率。

因此，现有的新型PSVA像素结构中，ITO像素电极在钝化层凸起部、侧壁、沟槽底部为整面连续覆盖，侧壁上的ITO像素电极与上基板的ITO公共电极形成横向电场。这样的优点是制程简单，缺点是液晶排列一致性差，液晶效率低，亟需改进。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种PSVA像素结构，提高液晶效率。

为实现上述目的，本发明提供一种PSVA像素结构，包括：上基板和与上基板相对设置的下基板，该上基板上设有公共电极，该下基板上设有钝化层、设置于该钝化层上的像素电极以及设置于该像素电极下方的金属层；该钝化层通过图形化形成有凸起部、侧壁以及沟槽底部，该像素电极仅覆盖于钝化层的凸起部以及沟槽底部。