[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201710488335.6 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107195665B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 郭玉珍;董学;王海生;吴俊纬;曹学友;刘英明;丁小梁;郑智仁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,包括:衬底基板、压敏结构、多个双栅晶体管和多个像素用晶体管;压敏结构包括依次设置在衬底基板上的第一电极层、压敏层和第二电极层,第二电极层包括与各双栅晶体管一一对应设置的多个第二电极,使得压敏层无需进行图案化处理,从而可以简化阵列基板的制作工艺;且双栅晶体管和像素用晶体管设置于第二电极层之上,使得在制作阵列基板时可以同时制作,有效减少mask的使用数量,简化制作工艺,降低制作成本;由于各第二电极分别与对应双栅晶体管中的底栅电极电连接,使得通过压敏结构与双栅晶体管的设置,可以实现对压力的检测,提高压力检测的灵敏度和精确度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
具有三维触摸(Three Dimension Touch,3D-Touch)功能的显示器,是将压力传感器集成到显示器中,即在触摸功能之外引入第三个Z轴的维度,能够为显示器的触摸功能增加一些由压力控制的动作;其中,集成到显示器中的压力传感器可以通过形变电容或者通过压敏材料的形变来实现,并且以简单的三层结构为主,例如,由上下电极中间夹一层压电材料的压电三明治结构,或者由上下电极中间夹一层形变介质层的三明治结构;而简单的三明治结构,需要在触摸的辅助下首先实现定位,才能给出特定位置的压力信号,因此,通过简单的三明治结构很难实现高精度的压力检测,使得压力检测的分辨率和灵敏度较低。
目前,出现了一种新型压力传感器,是将三明治结构的压敏结构与双栅晶体管相结合,如图1所示,在双栅晶体管10的顶栅电极11之上设置有压敏结构20,在压敏结构20中包括第一电极21、压敏层22和第二电极23,且第二电极23与双栅晶体管10的顶栅电极11共用,在压敏结构20受到压力(黑色箭头表示压力)时,在第一电极21与第二电极23处会产生电位差并作用于顶栅电极11中,使得双栅晶体管10产生阈值漂移,从而输出压力感测电位,通过对输出的压力感测电位的计算处理确定受到的压力大小;该种结构的压力传感器可以实现高精度的压力检测,可以大大提高压力检测的精确度和灵敏度。
然而,若将如图1所示的结构集成到显示器中时,在制作压敏结构时,因需要对压敏层和第一电极进行图案化处理,使得在制作显示面板时会明显增加掩模板(mask)的使用数量,使得制作工作变得复杂,导致制作成本大大增加,制作工艺的难度也大大增加。
基于此,如何在将压敏结构和双栅晶体管集成到显示器时,在保证对压力具有较高的检测精度的同时,简化制作工艺,降低制作成本,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,用以解决如何在保证对压力具有较高的检测精度的同时,简化制作工艺,降低制作成本。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板、压敏结构、多个双栅晶体管和多个像素用晶体管;其中,
所述压敏结构包括依次设置在所述衬底基板上的第一电极层、压敏层和第二电极层;所述第二电极层包括与各所述双栅晶体管一一对应设置的多个第二电极;
所述双栅晶体管和所述像素用晶体管设置于所述第二电极层之上;且各所述第二电极分别与对应所述双栅晶体管中的底栅电极电连接。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述双栅晶体管中的源漏电极在所述衬底基板上的正投影互不重叠。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第二电极与电连接的底栅电极同层设置且为一体结构。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述像素用晶体管为顶栅型晶体管。
在一种可能的实施方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第二电极通过过孔与所述底栅电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的