[发明专利]一种智能微型半导体高低温箱

权利要求书

1.智能微型半导体高低温箱，其特征是包括控制面板（1），高低温箱外壳（2），内部风扇（3），隔板（4），电路模块（5），箱内感温探头（6），样品加电导线孔（7），内部导热块（8），半导体制冷片（9），外部导热块（10），外部风扇（11），内部导热块感温探头（12），外部导热块感温探头（13）；其中，高低温箱外壳（2）的一个面上装有门，门的外表面上固定有控制面板（1）；高低温箱外壳（2）固定有电路模块（5）；高低温箱外壳（2）与门形成高低温箱体，隔板（4）、温度探头（6）处在高低温箱体内；高低温箱外壳（2）的侧壁上开有窗口，窗口内装有半导体制冷片（9），半导体制冷片（9）的一面朝向高低温箱体内部，半导体制冷片（9）的另一面朝向高低温箱体的外部；半导体制冷片（9）朝向高低温箱体内部的一面通过内部导热块（8）与内部风扇（3）相接；半导体制冷片（9）朝向高低温箱体外部的一面通过外部导热块（10）与外部风扇（11）相接；内部导热块（8）上装有内部导热块感温探头（12）；外部导热块（10）上装有外部导热块感温探头（13）；高低温箱外壳（2）上开有样品加电导线孔（7）。

2.根据权利要求1所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是所述高低温箱外壳（2）的每个侧壁上均有夹层，夹层采用聚氨酯或者聚苯乙烯泡沫填充。

3.根据权利要求1所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是所述门带有夹层，夹层采用聚氨酯或者聚苯乙烯泡沫填充，从而减少热量通过箱体进行热交换。

4.根据权利要求1所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是所述电路模块（5）包括控制部分，控制部分包括H桥电路，H桥电路与半导体制冷片（9）连接。

5.根据权利要求1所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是所述H桥电路通采用2个P沟道MOSFET与2个N沟道MOSFET构成或采用4个N沟道MOSFET构成。

6.根据权利要求5所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是所述由4个N沟道MOSFET构成的H桥电路包括第一个N沟道MOSFET（Q1），第二个N沟道MOSFET （Q2），第三个N沟道MOSFET （Q3），第四个N沟道MOSFET （Q4）；其中，第一个N沟道MOSFET （Q1）和第三个N沟道MOSFET （Q3）与半导体制冷片（9）的一个表面相接，第二个N沟道MOSFET （Q2）和第四个N沟道MOSFET （Q4）与半导体制冷片（9）的另一个表面相接；具体工作时：当第一个N沟道MOSFET （Q1）和第四个N沟道MOSFET （Q4）导通，第二个N沟道MOSFET （Q2）和第三个N沟道MOSFET （Q3）关闭时，半导体制冷片通过正向电流；当第一个N沟道MOSFET （Q1）和第四个N沟道MOSFET （Q4）关闭，第二个N沟道MOSFET （Q2）和第三个N沟道MOSFET （Q3）导通时，半导体制冷片通过反向电流；在实现电流方向控制的基础上，再通过脉冲宽度调制调节加载到半导体制冷片（9）上的功率，实现制冷或加热功率的调节。

7.根据权利要求1所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是所述半导体制冷片（9）位于内部导热块（8）与外部导热块（10）之间；半导体制冷片（9）与内部导热块（8）相接触的界面之间涂有导热硅脂，半导体制冷片（9）与外部导热块（10）相接触的界面之间也涂有导热硅脂；内部导热块（8）和外部导热块（10）都带有梳齿状结构；在内部导热块（8）和外部导热块（10）上都设计了安装温度探头的安装孔。

8.根据权利要求1所述的智能微型半导体高低温箱，其特征是还包括置于电路模块（5）中的外界环境温度探头，外界环境温度探头可以采用集成温度传感器或负温度系数温度传感器或热电偶温度传感器。