[发明专利]存储器设备、包括其的存储器封装以及包括其的存储器模块

说明书

公开了存储器设备、包括存储器设备的存储器封装以及包括存储器设备的存储器模块。存储器封装包括配置为响应于来自外部设备的第一芯片选择信号而操作的第一存储器设备、配置为响应于来自外部设备的第二芯片选择信号而操作的第二存储器设备以及配置为响应于来自外部设备的第三芯片选择信号而操作的第三存储器设备。第三存储器设备包括缓冲单元，该缓冲单元通过内部数据线与第三存储器设备的内部电路连接，通过第一存储器数据线与第一存储器设备连接，通过第二存储器数据线与第二存储器设备连接，并且通过数据线与外部设备连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2016年6月29日提交的韩国专利申请

背景技术

本公开的实施例涉及半导体存储器设备，更特别地涉及存储器设备、包

半导体存储器设备指使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、

易失性存储器设备指在掉电时丢失在其中存储的数据的存储器设备。易

由于DRAM具有快的操作速度，所以DRAM广泛地被用作诸如计算机

发明内容

本公开的实施例提供具有增加的存储容量和提高的性能的存储器设备、

根据实施例的一个方面，一种存储器封装包括配置为响应于来自外部设

根据实施例的另一方面，一种存储器模块包括第一存储器封装、第二存

根据实施例的另一方面，一种存储器设备包括存储单元阵列、行解码器、

根据实施例的再另一方面，一种存储器设备包括第一存储器、第二存储

附图说明

参考附图，根据下面的描述，上述和其他目的及特征将变得明了，其中，

图1是示意了根据示例实施例的用户系统的框图；

图2A是示意了根据示例实施例的图1的多个存储器封装中的一个的框

图2B是示意了根据其他示例实施例的图1的多个存储器封装中的一个

图3是示意了根据示例实施例的包括图2A和2B的缓冲单元的存储器设

图4和5是用于描述根据示例实施例的在图2B中示意的存储器封装的

图6是用于描述根据示例实施例的在图1中示意的存储器模块的操作的

图7是示意了根据示例实施例的在图1中示意的存储器封装的另一示例

图8是示意了根据示例实施例的在图1中示意的存储器封装的另一示例

图9是用于描述根据示例实施例的图8的存储器封装的操作的时序图；

图10是示意了根据示例实施例的在图1中示意的存储器封装的另一示例

图11是示意了根据示例实施例的在图1中示意的存储器封装的另一示例

图12是示意了根据示例实施例的在图1中示意的存储器封装的另一示例

图13A和13B是示意了根据示例实施例的在存储器设备和包括在图1的

图14是示意了根据示例实施例的存储器模块应用于其上的用户系统的

图15是示意了根据示例实施例的存储器模块应用于其上的用户系统的

图16是示意了根据示例实施例的存储器模块应用于其上的用户系统a0

图17是示意了根据某实施例的存储器模块应用于其上的用户系统的框

具体实施方式