[发明专利]一种半导体设备的顶针在审
| 申请号： | 201710483709.5 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107452668A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 康斯坦丁·莫吉利尼科夫 | 申请（专利权）人： | 鲁汶仪器有限公司（比利时） |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 比利时鲁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 顶针 | ||
1.一种半导体设备的顶针，其特征在于，
包括：
顶杆，穿过下电极基座；以及
顶帽，与所述顶杆相连接，用于支撑晶圆，
所述顶帽的水平横截面积大于所述顶杆的水平横截面积，当所述顶帽随所述顶杆降下时，所述顶帽上表面与所述下电极基座上表面持平。
2.根据权利要求1所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述下电极基座的上表面开设有与所述顶帽形状相匹配的凹槽。
3.根据权利要1所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
还包括倒角加固部，分别与所述顶帽和所述顶杆相连接。
4.根据权利要1～3中任一项所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述顶帽为片状结构。
5.根据权利要求4所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述片状结构的水平横截面呈椭圆形、圆形或矩形。
6.根据权利要1所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述顶帽与所述顶杆为不同材质。
7.根据权利要6所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述顶帽材质为耐腐蚀材料，所述顶杆材料为韧性材料。
8.根据权利要求7所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述耐腐蚀材料为陶瓷，所述韧性材料为聚四氟乙烯或形状记忆合金。
9.根据权利要2所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述顶杆直径为2mm，所述顶帽直径为10mm，所述顶帽高1.5mm，所述下电极基座表面对应的凹槽的直径为10.5mm，深度为1.7mm。
10.根据权利要1所述的半导体设备的顶针，其特征在于，
所述顶帽为可伸缩或可折叠结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
