[发明专利]一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710483443.4 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107134526B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 刘举庆;陈洁;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 江艳丽 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 普适性 非易失性 一次 写入 多次 读取 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层；
所述的纯绝缘性聚合物层中的纯绝缘性聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮中的一种；
所述的底电极是还原氧化石墨烯电极。
2.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的纯绝缘性聚合物层的制备方法是将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干。
3.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的存储介质层的厚度为60nm-80nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的衬底是硅片衬底，所述的顶电极是Al电极、Ag电极中的一种。
5.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)底电极的制备：通过高温热还原氧化石墨烯的方法在衬底上制备还原氧化石墨烯膜；
(2)存储介质层的制备：将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干；
(3)顶电极的制备：用热蒸镀的方法在存储介质层上形成金属Al电极，即得存储器。
6.根据权利要求5所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤(1)中衬底在使用前需预处理，具体方法是：将衬底依次采用乙醇、异丙醇、乙醇超声10-20min，氮气吹干，用氧气等离子清洗机在10-50W的功率下处理3-8min。
7.根据权利要求5所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤(1)中高温热还原氧化石墨烯的方法是在衬底上旋涂氧化石墨烯溶液，得氧化石墨烯薄膜，然后在氩/氢混合气氛中在1000-1200℃的高温下还原0.5-3小时，得还原氧化石墨烯膜。
8.根据权利要求5所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤(2)中旋涂采用旋涂仪，转速为800-1200rpm。
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