[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请主张在2016年9月19日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0119560号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本案供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种存储装置及操作所述存储装置的方法。

背景技术

计算机系统可包括各种类型的记忆系统，每一个记忆系统均包括记忆装置及控制器。记忆装置用来存储数据。记忆装置可使用易失性记忆装置或非易失性记忆装置来实作。易失性记忆装置需要电力来维持所存储数据。非易失性记忆装置则即使在不再施加电力之后仍保持所存储数据。记忆装置可包括第一存储区及第二存储区。第一存储区的写入速度可与第二存储区的写入速度不同。

发明内容

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括第一存储区及第二存储区，所述方法包括：所述存储装置的控制器响应于来自主机的写入请求为从所述主机接收到的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及所述控制器以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区，其中所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括第一存储区及第二存储区，所述方法包括：所述存储装置的控制器基于在第一周期期间从主机接收到的写入请求及写入数据来监测所述存储装置的工作负荷(workload)；基于所监测工作负荷为所接收的写入数据调整所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率；以及以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区，其中所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，且所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种存储装置，所述存储装置包括：存储器，包括第一存储区及第二存储区，所述第一存储区包括具有第一写入速度的存储单元，所述第二存储区包括具有与所述第一写入速度不同的第二写入速度的存储单元；以及控制器，被配置成从主机接收写入请求及写入数据，动态地调整对于所接收的写入数据的所述第一存储区对所述第二存储区的写入比率，并控制所述存储器以经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述第一存储区及所述第二存储区。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种存储装置，所述存储装置包括记忆装置及控制器。所述记忆装置包括单层单元(single level cell，SLC)区及多层单元(multi level cell，MLC)区，其中所述记忆装置存储写入比率X:Y，其中X是写入至所述单层单元区的第一数据量且Y是写入至所述多层单元区的第二数据量，其中X与Y不相同。所述控制器被配置成从主机接收写入模式及写入数据，基于所述写入模式调整所述写入比率，并根据经调整的写入比率将所述写入数据写入至所述单层单元区及所述多层单元区。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明将更清楚地理解本发明概念的实施例，在附图中：

图1是根据本发明概念示例性实施例的存储系统的方块图。

图2是说明根据本发明概念示例性实施例的图1所示存储装置的实例的方块图。

图3A及图3B说明图2所示存储器的实例。

图4是说明图2所示控制器的实例的方块图。

图5说明根据本发明概念示例性实施例的以多个写入比率对图2所示存储器来执行的单层单元(SLC)写入操作以及第一混合写入操作至第三混合写入操作。

图6说明根据本发明概念示例性实施例的以多个写入比率进行的混合写入操作。

图7A及图7B分别说明根据本发明概念示例性实施例的图5所示单层单元写入操作以及第一混合写入操作至第三混合写入操作。

图8A至图8C说明根据本发明概念某些示例性实施例的混合写入操作及迁移(migration)操作。

图9是示出根据本发明概念示例性实施例的当以多个写入比率执行写入操作时缓冲区大小与性能之间的关系的曲线图。

图10是示出根据本发明概念示例性实施例的在多个写入比率情况下存储装置的寿命的曲线图。

图11是示出根据本发明概念示例性实施例的在多个写入比率情况下存储装置的性能、缓冲区大小、及寿命的曲线图。