[发明专利]一种121.6nm窄带负滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，包括：

确定制备121.6nm窄带负滤光片时所需的多层膜的镀膜材料以及相应的基础膜系结构；其中，所述基础膜系结构为sub/(0.7H0.6L0.7H)^11/air；

基于所述镀膜材料以及所述基础膜系结构，计算相应的等效导纳以及位相厚度；

根据所述等效导纳以及位相厚度，依次在多层膜与入射介质之间、以及多层膜与基底之间分别进行导纳匹配处理，以对所述基础膜系结构进行优化，得到优化后膜系结构；

根据所述优化后膜系结构，制备相应的121.6nm窄带负滤光片。

2.根据权利要求1所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，

多层膜的镀膜材料为LaF₃和MgF₂。

3.根据权利要求2所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，

多层膜中与所述基底接触的膜层以及最外层膜层均为LaF₃膜层，并且，所述基底为融石英基底。

4.根据权利要求1至3任一项所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，所述基于所述镀膜材料以及所述基础膜系结构，计算相应的等效导纳以及位相厚度的过程，包括：

基于所述镀膜材料以及所述基础膜系结构，并利用Macleod薄膜设计软件中的Equivalent Parameters功能，计算相应的等效导纳以及位相厚度。

5.根据权利要求4所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，所述依次在多层膜与入射介质之间、以及多层膜与基底之间分别进行导纳匹配处理的过程，包括：

在所述基础膜系结构中的多层膜与入射介质之间展开导纳匹配处理，以对所述基础膜系结构进行优化，得到第一次优化后膜系结构；

在所述第一次优化后膜系结构中的多层膜与所述基底之间展开导纳匹配处理，以对所述第一次优化后膜系结构再次进行优化，得到第二次优化后膜系结构。

6.根据权利要求5所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，

所述第一次优化后膜系结构为：

sub/((0.7H0.6L0.7H)^9 0.6H0.964(0.7H0.6L0.7H)^2)/air；

所述第二次优化后膜系结构为：

sub/(0.9(0.7H0.6L0.7H)^2(0.7H0.6L0.7H)^7 0.6H0.964(0.7H0.6L0.7H)^2)/air。

7.根据权利要求6所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，

所述根据所述优化后膜系结构，制备相应的121.6nm窄带负滤光片的过程之前，还包括：

将高斯型反射带轮廓作为目标曲线，并结合OptiLayer软件中的ConstrainedOptimizarion功能，对所述第二次优化后膜系结构中的多层膜展开再次优化，得到第三次优化后膜系结构。

8.根据权利要求7所述的121.6nm窄带负滤光片制备方法，其特征在于，

所述根据所述优化后膜系结构，制备相应的121.6nm窄带负滤光片的过程之前，还包括：

利用Optilayer软件的Sensitivity-Directed Refinement功能，对所述第三次优化后膜系结构进行再次优化，得到第四次优化后膜系结构。

9.一种121.6nm窄带负滤光片，其特征在于，所述121.6nm窄带负滤光片具体为利用如权利要求1至8任一项所述方法制备的121.6nm窄带负滤光片。