[发明专利]多设备换能器模块、包括换能器模块的电子装置以及用于制造换能器模块的方法

权利要求书

1.一种换能器模块(11；51；91)，包括支撑衬底(23)和帽盖(27)，所述帽盖在所述支撑衬底(23)之上延伸并且与其限定腔室(8)，所述换能器模块的特征在于其进一步包括：

第一MEMS换能器(12’；53)，所述第一MEMS换能器具有第一敏感元件(19；59)，所述第一敏感元件面向所述腔室(8)并且被配置成用于检测第一环境量并根据所述检测到的环境量生成第一换能信号；以及

第二MEMS换能器(12”；54)，所述第二MEMS换能器具有第二敏感元件(29；69)，所述第二敏感元件面向所述支撑衬底(23)并且被配置成用于检测第二环境量并根据所述检测到的环境量生成第二换能信号，

其中，所述帽盖(27)具有第一窗口(39)，所述第一窗口被配置成用于仅形成所述第一环境量朝向所述第一敏感元件(19；59)的接入路径，并且所述支撑衬底(23)具有第二窗口(49)，所述第二窗口被配置成用于仅形成所述第二环境量朝向所述第二敏感元件(29；69)的接入路径。

2.根据权利要求1所述的换能器模块，其中，所述第一和第二窗口(39，49)为贯通开口，所述换能器模块(11；51；91)进一步包括隔离区(31；90)，所述隔离区被安排在传感器模块(21；52)与所述支撑衬底(23)之间、被配置成用于将所述第二窗口(49)与所述腔室(8)流体隔离开。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的换能器模块，进一步包括用于将所述第二MEMS换能器(12”；54)固定至所述支撑衬底(23)的固定结构(31，38；84)，所述固定结构包括以下各项中的至少一项：围绕所述第二敏感元件(29；69)的阻焊掩模(38)；围绕所述第二敏感元件(29；69)的胶层(31)；围绕所述第二敏感元件(29；69)的粘合层(31)；以及与所述第二敏感元件(29；69)并排安排的焊料凸块(84)。

4.根据以上权利要求中任一项所述的换能器模块，进一步包括处理芯片(22)，所述处理芯片被安排在所述腔室(8)中或者集成在所述支撑衬底(23)中、功能上耦合至所述第一和第二MEMS换能器以用于在使用中分别接收所述第一和第二换能信号。

5.根据权利要求4所述的换能器模块，其中，所述处理芯片(22)包括ASIC。

6.根据权利要求4或权利要求5所述的换能器模块，其中，所述处理芯片(22)通过以下各项中的一项或两项功能上耦合至所述第一和第二换能器：接线键合和导电路径(82，85)，所述导电路径在所述支撑衬底(23)上延伸和/或集成在所述支撑衬底中。

7.根据以上权利要求中任一项所述的换能器模块，其中，所述第一MEMS换能器(12’；53)和所述第二MEMS换能器(12”；54)集成在半导体材料的同一单体本体(16)的相反侧(16a，16b)上。

8.根据以上权利要求中任一项所述的换能器模块，其中，所述第一MEMS换能器(12’；53)集成在第一芯片(53)中并且所述第二MEMS换能器(12”；54)集成在第二芯片(54)中，所述第一和第二芯片堆叠在彼此上。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的换能器模块，其中，所述第一和第二MEMS换能器集成一个或多个导电通孔(36；63，64)，所述一个或多个导电通孔形成针对所述换能信号的从所述第二MEMS换能器到一个或多个对应电接触焊盘的路径，所述一个或多个对应电接触焊盘被安排在所述第一MEMS换能器上。

10.根据以上权利要求中任一项所述的换能器模块，其中，所述第一MEMS换能器(12’；53)集成在第一芯片(53)中，并且所述第二MEMS换能器(12”；54)集成在第二芯片(54)中，所述第一和第二芯片彼此并排地安排。