[发明专利]具有迟滞功能的欠压锁定电路

权利要求书

1.一种具有迟滞功能的欠压锁定电路，其特征是：包括用于连接工作电源VDD并判断所述工作电源VDD是否处于欠压工作状态的比较器电路（1）以及用于形成工作电源VDD的上升电压与下降电压之间迟滞的迟滞电路（2），所述比较器电路（1）通过迟滞电路（2）与输出缓冲电路（3）电连接，所述输出缓冲电路（3）能对迟滞电路（2）输出的迟滞电压进行整形缓冲后输出；

所述迟滞电路（2）包括NMOS管MN5以及NMOS管MN6，NMOS管MN6的源极端接地，NMOS管MN6的漏极端与NMOS管MN5的源极端连接，NMOS管MN5的漏极端与反相器NV1的输入端连接，反相器NV1的输出端与输出缓冲电路（3）的输入端以及NMOS管MN5的栅极端连接，NMOS管MN6的栅极端、NMOS管MN5的漏极端分别与比较器电路（1）连接。

2.根据权利要求1所述的具有迟滞功能的欠压锁定电路，其特征是：所述比较器电路（1）包括由NMOS管MN1与NMOS管MN2构成的差分对，所述NMOS管MN1的源极端接地，NMOS管MN1的栅极端与NMOS管MN2的栅极端、NMOS管MN1的漏极端以及电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与PMOS管MP1的源极端、PMOS管MP2的源极端、电阻R3的一端以及工作电源VDD连接；

PMOS管MP1的栅极端与PMOS管MP1的漏极端、NMOS管MN2的漏极端以及PMOS管MP2的栅极端连接，NMOS管MN2的源极端接地，PMOS管MP2的漏极端与NMOS管MN3的漏极端以及迟滞电路（2）的一输入端连接，NMOS管MN3的源极端接地，NMOS管MN3的栅极端与电阻R2的一端、电阻R3的另一端、NMOS管MN4的栅极端以及迟滞电路（2）的另一输入端连接，电阻R2的另一端接地，NMOS管MN4的源极端接地。

3.根据权利要求1所述的具有迟滞功能的欠压锁定电路，其特征是：所述反相器NV1包括上拉PMOS管MP以及下拉NMOS管MN，上拉PMOS管的源极端与工作电源VDD连接，上拉PMOS管MP的栅极端与下拉NMOS管MN的栅极端连接，下拉NMOS管MN的源极端接地，下拉NMOS管MN的漏极端与上拉PMOS管MP的漏极端连接后与NMOS管MN5的栅极端以及输出缓冲电路（3）连接，上拉PMOS管MP的栅极端、下拉NMOS管MN的栅极端与NMOS管MN5的漏极端连接。

4.根据权利要求1所述的具有迟滞功能的欠压锁定电路，其特征是：所述输出缓冲电路（3）包括PMOS管MP3、NMOS管MN7以及NMOS管MN8，所述PMOS管MP3的栅极端与迟滞电路（2）的输出端连接，PMOS管MP3的源极端与电容C1的一端以及工作电源VDD，电容C1的另一端与反相器INV2的输入端、PMOS管MP3的漏极端、NMOS管MN7的漏极端、NMOS管MN7的栅极端以及NMOS管MN8的栅极端连接，NMOS管MN7的源极端与NMOS管MN8的漏极端连接，NMOS管MN8的源极端接地，反相器INV2的输出端与反相器INV3的输入端连接，反相器INV3的输出端与反相器INV4的输入端连接，反相器INV4的输出端输出整形缓冲后的电压。