[发明专利]用于非制冷红外传感器真空封装的管壳结构及红外传感器封装结构

权利要求书

1.一种用于非制冷红外传感器真空封装的管壳结构，包括管壳主体（1），其特征是：在所述管壳主体（1）的外侧底部焊接半导体热电晶粒（7），在半导体热电晶粒（7）的下方焊接热面陶瓷板（8）；在所述管壳主体（1）的底部焊接TEC工作引脚（9），以引出半导体制冷器工作所需的正负极。

2.一种红外传感器封装结构，包括管壳主体（1），管壳主体（1）上具有真空腔体（2），真空腔体（2）上设置光窗（3），真空腔体（2）内安装芯片（4），真空腔体（2）内还设置有吸气剂（5），管壳主体（1）上连接管脚（6），芯片（4）通过打线连接管脚（6）；其特征是：在所述管壳主体（1）的外侧底部焊接半导体热电晶粒（7），在半导体热电晶粒（7）的下方焊接热面陶瓷板（8）；在所述管壳主体（1）的底部焊接TEC工作引脚（9），以引出半导体制冷器工作所需的正负极。

3.一种用于非制冷红外传感器真空封装的管壳结构的制作方法，其特征是，包括：

（1）选择陶瓷作为管壳主体（1）的材料，管壳主体（1）采用低温共烧结工艺制成；

（2）在管壳主体（1）的外侧底部做出适合的金属化图形，以此底部作为冷面；

（3）在金属化图形处加焊料，焊上半导体热电晶粒（7）；

（4）选择陶瓷板作为热面，在陶瓷板的表面做出适合的金属化图形，在半导体热电晶粒的下表面加焊料，将热面陶瓷板与半导体热电晶粒焊上；

（5）将成型的TEC工作引脚（9）焊接至管壳主体（1）上，引出半导体制冷器工作所需的正负极。