[发明专利]半导体开关装置

权利要求书

1.一种半导体开关装置，其特征在于，包括位于半导体衬底上的场效应晶体管，

其中所述场效应晶体管包括多个栅极，每个栅极包括在所述衬底的主表面上布置成环路的栅极电极和栅极电介质，其中由所述栅极形成的所述环路被同轴地布置，以及

其中每个栅极具有相邻于由该栅极形成的所述环路的内边缘或外边缘定位的源极区和相邻于由该栅极形成的所述环路的所述内边缘和所述外边缘中的另一边缘定位的漏极区，

进一步包括布置成环路的至少一个隔离区，其中由每个隔离区形成的所述环路位于所述栅极中的一个的内边缘与所述栅极中的另一个的外边缘之间。

2.根据权利要求1所述的半导体开关装置，其特征在于，所述源极区中的至少一些位于所述隔离区中的一个与由所述栅极中的一个形成的所述环路的内边缘或外边缘之间，并且其中所述漏极区中的至少一些位于所述隔离区中的一个与由所述栅极中的一个形成的所述环路的内边缘或外边缘之间。

3.根据在前的任一项权利要求所述的半导体开关装置，其特征在于，所述多个栅极包括最外栅极、最内栅极和至少一个中间栅极，其中由所述至少一个中间栅极形成的所述环路位于由所述最外栅极形成的所述环路内部，并且其中由所述最内栅极形成的所述环路位于由所述至少一个中间栅极形成的所述环路内部。

4.根据权利要求1或2所述的半导体开关装置，其特征在于，每个栅极包括沿着所述同轴布置环路的共同径向方向延伸的至少一个接触区域，其中所述装置进一步包括栅极接触的线性阵列，并且其中每个栅极接触位于所述接触区域中的一个上。

5.根据权利要求4所述的半导体开关装置，其特征在于，每个栅极包括位于由该栅极形成的所述环路的相对侧上的两个所述接触区域。

6.根据权利要求1或2所述的半导体开关装置，其特征在于，进一步包括位于所述场效应晶体管上方的金属化堆叠，其中所述金属化堆叠包括用于连接到所述场效应晶体管的所述栅极、源极和漏极的连接部件。

7.根据从属于权利要求6所述的半导体开关装置，其特征在于，所述金属化堆叠包括：

至少一个源极连接部件，其将位于所述隔离区中的一个的任一侧上的源极区连接在一起，和/或

至少一个漏极连接部件，其将位于所述隔离区中的一个的任一侧上的漏极区连接在一起。

8.根据权利要求7所述的半导体开关装置，其特征在于，每个源极连接部件和每个漏极连接部件位于所述金属化堆叠的第一金属层中，并且其中所述金属化堆叠包括位于所述金属化堆叠的第二金属层中的另外的源极和漏极连接部件，以将所述第一金属层中的所述源极连接部件和所述漏极连接部件互连。

9.一种制造半导体开关装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有主表面的半导体衬底；以及

通过以下操作在半导体衬底上形成场效应晶体管：

形成环路的至少一个隔离区；

沉积和图案化所述衬底上的栅极电介质材料和栅极电极材料以形成多个栅极，每个栅极包括在所述衬底的主表面上布置成环路的栅极电极和栅极电介质，其中由所述栅极形成的所述环路被同轴地布置，以及

对于每个栅极，形成相邻于由该栅极形成的所述环路的内边缘或外边缘定位的源极区和相邻于由该栅极形成的所述环路的所述内边缘和所述外边缘中的另一边缘定位的漏极区，其中由每个隔离区形成的所述环路位于所述栅极中的一个的内边缘与所述栅极中的另一个的外边缘之间。