[发明专利]抑制山核桃外植体褐变的方法

说明书

技术领域

本发明涉及山核桃组织培养技术领域，尤其是一种抑制山核桃外植体褐变的方法。

背景技术

山核桃是一种落叶乔木，属胡桃科山核桃属，高达10-20米，胸径30-60厘米；树皮平滑，灰白色，光滑。山核桃的果实由于具有极高的营养价值和独特的口感风味，得到了消费者的认可，逐渐成为一种广受欢迎的高档坚果。中国为原产地之一，适生于山麓疏林中或腐殖质丰富的山谷。

山核桃主要采用播种繁殖，其苗期长、质量参差不齐且苗木易退化，严重阻碍了生产的发展；山核桃植株受伤后，其体内的PPO性随着酚类物质含量的增加而提高，在植株受伤处形成褐色坏死层，严重阻碍了山核桃嫁接和扦插繁殖的成活率；在山核桃的组织培养研究中，外植体的褐化问题也是阻碍其组织培养的主要因素之一，抑制山核桃外植体的褐变研究不仅对其组织培养，也对其无性繁殖具有重大意义。

发明内容

本发明的目的是提供一种抑制山核桃外植体褐变的方法，本发明解决的技术问题是抑制山核桃组织培养过程中褐变现象。

为了解决上述问题，本发明采用的技术方案是：

这种抑制山核桃外植体褐变的方法包括以下步骤：

A、外植体消毒：选取山核桃茎尖作为外植体，采用负离子光触媒处理7分钟～10分钟，再用浓度为70％的酒精浸泡5分钟～8分钟；

B、暗培养：将消毒后的外植体接种于暗培养基上，调节pH值为4～5，控制温度为23℃～25℃，暗培养10天～15天；所述暗培养基是以1/2MS培养基为基础培养基，添加50克/升～80克/升活性炭、30克/升～50克/升硫代硫酸钠和10克/升～18克/升半胱氨酸；

C、光照培养：转入光照培养基中，设置培养温度为22℃～27℃，在1300～1800Lux的光照强度为下进行培养；所述光照培养基为以2/3MS培养基为基础培养基，添加10克/升～16克/升赤霉酸。

上述方案中，更具体的技术方案还可以是：酒精消毒后，采用无菌水冲洗2次～5次，每次冲洗时间为2分钟～10分钟。

由于采用了上述技术方案，本发明与现有技术相比具有如下有益效果：

1、本发明采用山核桃茎尖作为外植体，消毒后依次经过暗培养和光照培养的方法，一方面，暗培养基以1/2MS培养基为基础培养基，光照培养基为以2/3MS培养基为基础培养基，与MS培养基相比，1/2MS培养基和2/3MS培养基中无机盐离子浓度较低，能够降低山核桃茎尖褐变机率；另一方面，暗培养基中添加活性炭、硫代硫酸钠和半胱氨酸，光照培养基中添加赤霉酸，可以较有效控制山核桃褐变，抗褐变率达到83.5％。

2、本发明采用负离子光触媒处理山核桃茎尖，负离子光触媒在光的照射下，具有极强的杀菌、防污自洁的功能，且不会损伤外植体，安全环保。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步详述：

实施例1

本实施例抑制山核桃外植体褐变的方法包括以下步骤：

A、外植体消毒：选取山核桃茎尖作为外植体，将外植体放置于涂有纳米二氧化钛粉体制成的中性涂层的罐体中12min，在罐体内通入质量比为8∶1氮气和臭氧，进行负离子光触媒处理7分钟，再用浓度为70％的酒精浸泡8分钟，采用无菌水冲洗2次，每次冲洗时间为10分钟。

B、暗培养：将消毒后的外植体接种于暗培养基上，调节pH值为4～5，控制温度为23℃～25℃，暗培养15天；所述暗培养基是以1/2MS培养基为基础培养基，添加50克/升活性炭、50克/升硫代硫酸钠和14克/升半胱氨酸；

C、光照培养：转入光照培养基中，设置培养温度为22℃～27℃，在1800Lux的光照强度为下进行培养；所述光照培养基为以2/3MS培养基为基础培养基，添加10克/升赤霉酸。

本实施例方法山核桃抗褐变率为83.5％。

实施例2

A、外植体消毒：选取山核桃茎尖作为外植体，将外植体放置于涂有纳米二氧化钛粉体制成的中性涂层的罐体中15min，在罐体内通入质量比为9∶1.5氮气和臭氧，进行负离子光触媒处理10分钟，再用浓度为70％的酒精浸泡7分钟，采用无菌水冲洗3次，每次冲洗时间为2分钟。

B、暗培养：将消毒后的外植体接种于暗培养基上，调节pH值为4～5，控制温度为23℃～25℃，暗培养13天；所述暗培养基是以1/2MS培养基为基础培养基，添加70克/升活性炭、40克/升硫代硫酸钠和10克/升半胱氨酸；