[发明专利]数据储存装置及映射表重建方法有效

专利信息
申请号: 201710473881.2 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN108733510B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 陈劲克;江祖荣 申请(专利权)人: 慧荣科技股份有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14;G06F11/10;G06F12/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 储存 装置 映射 重建 方法
【说明书】:

发明涉及一种数据储存装置及映射表重建方法,其具有非挥发性存储器以及微控制器。非挥发性存储器中存有数据区块。微控制器自数据区块中选取来源区块以及目地区块并将来源区块的有效数据复制至目地区块,当有效数据的一者毁损且无法修复时,将有效数据之一者所对应的不可修复错误位元记录至目地区块。

技术领域

本发明有关于数据重建技术,特别有关于一种适用于数据储存装置的逻辑到实体地址映射表(logical-to-physical address mapping table)重建方法。

背景技术

随着电脑科技的演进,逐渐发展出各式的密集储存装置,其中又以存储器为最广受使用的储存媒介,一般来说,依据储存特性之别,存储器又可区分为挥发性(volatile)存储器与非挥发性(non-volatile)存储器,其中挥发性存储器所储存的数据会在电源供应中断后消失,而非挥发性存储器所储存的数据即使在断电时依旧能够被保存下来,只要重新供电就能够读取内存数据。

以非挥发性存储器为例,其于近年来被大量使用于电子产品中,特别是可携式电子产品(如:行动电话、数位相机、以及小型游戏机等),用以长时间保存数据。目前市面上有许多种不同类型的非挥发性存储器,包括:快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、以及自旋转移力矩随机存取存储器(Spin TransferTorque-RAM,STT-RAM)等。

在非挥发性存储器的使用过程中,需要以映射表来管理主机端的逻辑地址以及非挥发性存储器端的实体地址之间的映射关系,以实现正确的数据存取操作。然而,在使用上若发生不当断电或突然断电,将可能造成内存数据的毁损,例如:映射表毁损。因此,亟需有一种映射表重建方法,能够有效解决映射表毁损的问题。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提出一种数据储存装置及映射表重建方法,特别将逻辑到实体地址映射表中的不可修复错误(uncorrectable error,UNC error)位元备份到实体到逻辑地址映射表(physical-to-logical address mapping table)、以及/或数据页备用区(data page spare area),使得于重建逻辑到实体地址映射表时也能够快速重建不可修复错误位元。

本发明的一实施例提供了一种数据储存装置,包括一非挥发性存储器以及一微控制器。上述非挥发性存储器包括多个数据区块。上述微控制器自上述数据区块中选取一来源区块以及一目地区块并将上述来源区块的多个有效数据复制至上述目地区块,当上述有效数据之一者毁损且无法修复时,将上述有效数据之上述一者所对应的一不可修复错误位元记录至上述目地区块。

较佳的情况是,上述不可修复错误位元是记录于上述目地区块的一区块终端,或者,上述不可修复错误位元记录于上述目地区块的一备用区域。

本发明的另一实施例提供了一种数据储存装置,包括一非挥发性存储器以及一微控制器。上述非挥发性存储器包括多个数据区块。上述微控制器读取每一上述数据区块中的一实体到逻辑地址映射表,每一上述实体到逻辑地址映射表包括一不可修复错误位元,以及依据上述实体到逻辑地址映射表的先后顺序建立一逻辑到实体地址映射表,其中上述逻辑到实体地址映射表包括上述不可修复错误位元。

较佳的情况是,上述实体到逻辑地址映射表储存于上述数据区块的区块终端。上述数据区块的先后顺序记录于一时序列表中,或者,上述数据区块的先后顺序参照每一上述数据区块的一时间戳记而决定。

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