[发明专利]附脱模层的铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法在审
申请号: | 201710473764.6 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN107529282A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 古曳伦也 | 申请(专利权)人: | JX金属株式会社 |
主分类号: | H05K3/02 | 分类号: | H05K3/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脱模 铜箔 积层体 印刷 线板 制造 方法 电子 机器 | ||
1.一种附脱模层的铜箔,其依序具备脱模层、对铜蚀刻剂具有耐溶解性的阻挡层、及铜箔。
2.根据权利要求1所述的附脱模层的铜箔,其中,所述对铜蚀刻剂具有耐溶解性的阻挡层具有选自由
Ni层、Ti层、Cr层、V层、Zr层、Ta层、Au层、Pt层、Os层、Pd层、Ru层、Rh层、Ir层、W层、Sn层、不锈钢层、Ag层、Mo层、Ni-Cr合金层、Al层、Co层、In层、Bi层、ITO(氧化铟锡)层、
含有包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr所组成的群中的任一种以上元素的合金的层、以及
含有包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si、Fe、Mo、Mn、P、S、N、C、Al、Co、In、Bi、Sn、Ag、Mo及Cr所组成的群中的任一种以上元素的碳化物、氧化物或氮化物的层
所组成的群中的任一种以上的层。
3.根据权利要求1所述的附脱模层的铜箔,其中,所述对铜蚀刻剂具有耐溶解性的阻挡层为Ni层、或含有Ni的合金层。
4.根据权利要求1所述的附脱模层的铜箔,其中,所述脱模层单独地或组合多种地具有下式所示的硅烷化合物、其水解生成物或该水解生成物的缩合物,
[化1]
(式中,R1为烷氧基或卤素原子,R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基,或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基,R3及R4分别独立为卤素原子、烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基,或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基)。
5.根据权利要求2所述的附脱模层的铜箔,其中,所述脱模层单独地或组合多种地具有下式所示的硅烷化合物、其水解生成物或该水解生成物的缩合物,
[化2]
(式中,R1为烷氧基或卤素原子,R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基,或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基,R3及R4分别独立为卤素原子、烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基,或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基)。
6.根据权利要求3所述的附脱模层的铜箔,其中,所述脱模层单独地或组合多种地具有下式所示的硅烷化合物、其水解生成物或该水解生成物的缩合物,
[化3]
(式中,R1为烷氧基或卤素原子,R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基,或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基,R3及R4分别独立为卤素原子、烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基,或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基)。
7.根据权利要求1所述的附脱模层的铜箔,其中,所述脱模层具有分子内具有两个以下的巯基的化合物。
8.根据权利要求2所述的附脱模层的铜箔,其中,所述脱模层具有分子内具有两个以下的巯基的化合物。
9.根据权利要求3所述的附脱模层的铜箔,其中,所述脱模层具有分子内具有两个以下的巯基的化合物。
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