[发明专利]一种形貌均一的铜纳米线的制备方法在审
| 申请号: | 201710471742.6 | 申请日: | 2017-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN107282941A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
| 发明(设计)人: | 覃爱苗;张玉龙 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
| 主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 形貌 均一 纳米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种形貌均一的铜纳米线的制备方法,属纳米材料技术领域。
背景技术
铜纳米线及含有铜纳米线的组装体系在生物活性、电学、热学、光学、催化等方面均具有优异性能,在工业催化、电子电工、医疗卫生、机械制造等领域均有广阔的应用前景。特别地,铜纳米线效率高、选择性强,以适宜的形式分散于各种润滑油中并形成稳定的悬浮液,可作为一种高级的润滑剂。这种润滑剂每升含有数百万个超细的金属微粒,它们与固体表面结合并形成光滑的保护层,同时将微划痕填塞,可大幅度降低磨损和摩擦,尤其在重载、低速和高温振动下其优势更为显著。同时,铜纳米线因其优异的导电性能以及独特的结构,作为透明电极的理想材料。以硼氢化钠为还原剂、硫酸铜为氧化剂,并以乙二胺为络合剂,采用液相还原法可制备直径为30 -50 nm,长为15μm的纳米铜线(张念椿,刘彬云, 肖定军,等. 透明导电膜材料纳米铜线的制备及其性能研究[J]. 材料研究与应用, 2014, 8(2):117-120.)。该铜纳米线可以进一步处理成为纳米材料薄膜,作为一种新型的纳米结构材料代替电子产品中的稀贵金属,这种薄膜可应用于显示器当中。当前已经有许多制备铜纳米线的方法报道,主要有气相法、等离子体法、机械化学法、辐射合成法、液相化学还原法、微溶液法和化学沉积法等。这些方法存在操作难度高,实验要求苛刻,工艺复杂等缺陷,最终得到的铜纳米线形貌不均,粒径较大。
发明内容
本发明目的在于提供一种简单易操作的铜纳米线的制备方法,包括二水合氯化铜为铜源,乙酰丙酮镍为反应催化剂,油胺为辅助催化剂及加热介质。
具体步骤为:
(1)将二水合氯化铜和乙酰丙酮镍以2:1的摩尔比例混合于适宜大小的反应釜内胆中,再加入相当于反应釜内胆三分之二容积的油胺有机溶剂,并向其中通入一定量的氮气或者氩气排除内胆中的空气,盖好反应釜,置于烘箱之中。
(2)将步骤(1)中的反应物于烘箱中加热让其充分反应,设置条件为:反应时长为8-12小时,反应温度为170℃-200℃。
(3)待步骤(2)反应完全后,让反应釜于烘箱中自然冷却至25℃-40℃,方可取出反应釜。
(4)待步骤(3)中反应釜冷却完成后,取出所得物在10000rad/min条件下离心5-10分钟,取沉淀倒入适量清洗剂后超声洗涤处理,再一次进行离心。重复离心、超声处理3-5次。(此处第一次离心后倒出的母液为油胺与镍的混合液,可收集进行重复利用,节省成本)
(5)将步骤(4)所得物置于正己烷中保存。为测试需要取沉淀于真空干燥箱中干燥,设置真空干燥箱参数为:干燥时长为2-5小时,干燥温度为30℃-45℃,得铜纳米线。
(6)将步骤(5)所得物以扫描电镜(SEM)及X-射线粉末衍射仪(XRD)进行测试。所述清洗剂为正己烷、无水乙醇和无水丙酮中的一种。
所制得的铜纳米线形貌具有均一的线状结构,干燥后外观为砖红色粉末;平均粒径约为35nm,平均长度约为20μm;晶体结构为立方结构;能够在室温下于正己烷中长期存储。
本发明工艺简单,原料成本低廉,可循环利用,技术难度低,容易操作且无任何废弃物排放,绿色环保。所得铜纳米线形貌均一,粒径较小,可用于润滑剂、电子屏幕、电子芯片及导电油墨等领域。
附图说明
图1为实施例1中所合成的铜纳米线SEM图。
图2为实施例1中所合成的铜纳米线SEM图。
图3为实施例1中所合成的铜纳米线的XRD图谱。
其中:横坐标为衍射角(°),位于43.316°,50.448°,740124°的衍射峰分别归属于立方晶系铜的(111),(200),(220)晶面的衍射峰。
具体实施方式
实施例1:
(1)取二水合氯化铜0.1368g(0.8mol)放置在体积为15mL的聚四氟乙烯反应釜内胆中,加乙酰丙酮镍 0.1027g (0.4mol),再加入10mL油胺,并向其中通入一定量的氮气排除内胆中的空气,盖好反应釜,置于烘箱之中。设置烘箱参数为:反应温度为170℃,反应时长为8小时。
(2)待步骤(1)反应完全后,让反应釜于烘箱中自然冷却至25℃-40℃,取出所得物在10000rad/min条件下离心10分钟,取沉淀倒入适量正己烷后超声处理,再一次进行离心,重复离心、超声处理3次后,取沉淀存于一定量的正己烷中。
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