[发明专利]一种高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法有效
| 申请号： | 201710471715.9 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107248495B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;冯奇艳;唐在峰;任昱;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/762 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 注入 工艺 形成 高深 隔离 方法 | ||
1.一种高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤一：准备硅基片，并在所述硅基片上方由下到上依次设置硅基片外延层、研磨停止层、掩模图形层；
步骤二：对上述硅基片进行高深宽比硅沟槽刻蚀，沟槽底部位于硅基片并接近硅基片外延层；
步骤三：在上述硅基片外侧选择性外延生长单层或者多层单晶硅，所述单晶硅不填满整个沟槽，在所述沟槽中留出空隙用于沉积介质膜，所述介质膜填满整个沟槽；所述多层单晶硅的第一层和硅基片外延层掺杂类型相同，外延结束后的沟槽关键尺寸和目标尺寸一致；
步骤四：化学机械研磨沟槽上方的外延生长单晶硅，停止在所述研磨停止层上，最后去除剩余研磨停止层。
2.根据权利要求1所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述研磨停止层为二氧化硅或者氮化硅。
3.根据权利要求1所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述掩模图形层为一次曝光的光刻胶。
4.根据权利要求1所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述掩模图形层为一次曝光和刻蚀形成的图形，膜质为氧化膜或者氮化膜。
5.根据权利要求1所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述沟槽刻蚀后的深宽比大于10：1。
6.根据权利要求1所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述沟槽刻蚀深度比硅基片外延层厚度大1um-2um，形成所述沟槽底部位于硅基片外延层下方。
7.根据权利要求1所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述单层单晶硅和硅基片外延层是不同的掺杂类型。
8.根据权利要求7所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述介质膜为二氧化硅。
9.根据权利要求8所述的高能离子注入工艺中形成高深宽比隔离的方法，其特征在于，所述介质膜沉积工艺为热氧化法或者原子层沉积或者旋涂法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
