[发明专利]发光二极管的外延结构

权利要求书

1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括：N型层、发光层及P型层；所述发光层位于所述N型层与所述P型层之间，所述发光层覆盖所述N型层，所述P型层覆盖所述发光层；所述发光层至所述P型层的方向为所述P型层的势垒的生长方向，所述P型层的势垒沿所述生长方向逐渐递减；所述发光层为MQW结构；所述P型层由Al_XIn_YGa_1-X-YN制成，0<＝X<＝1，0<＝Y<＝1；以所述发光层作为起点，Y的初始值为0，X沿所述生长方向逐渐递减；当X递减至0时，Y从0开始沿所述生长方向逐渐递增，直至所述P型层生长结束。

2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，发光层的数量为至少一层，所有发光层依次覆盖所述N型层。

3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述P型层的势垒沿所述生长方向逐渐递减至第一预设阈值后维持不变。

4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括高温缓冲层，所述N型层覆盖所述高温缓冲层。

5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括低温缓冲层，所述高温缓冲区覆盖所述低温缓冲区。

6.根据权利要求5所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括衬底层，所述低温缓冲层覆盖所述衬底层。

7.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述P型层的受主杂质为Mg；

Mg源的流量沿所述生长方向逐渐递减；或者，

Mg源的流量沿所述生长方向逐渐递增；或者，

Mg源的流量沿所述生长方向逐渐递减，在减至第二预设阈值后，沿所述生长方向逐渐递增。