[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201710468922.9 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107393827A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 肖东辉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,王浩 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤101：提供基板，在所述基板上制作遮光层和缓冲层；
步骤102：在所述缓冲层上沉积第一非晶硅层；
步骤103：在所述第一非晶硅层上沉积通入乙硼烷的第二非晶硅层；
步骤104：在所述第二非晶硅层上依次制作栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源极、漏极、有机光阻膜层、第一电极层、钝化保护层和第二电极层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：所述缓冲层为氮化硅层和氧化硅层的复合层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：所述通入乙硼烷的第二非晶硅层的厚度为150埃米。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：所述第一非晶硅层的厚度为300埃米。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：所述缓冲层与所述第一非晶硅层通过化学气相沉积方式一道制成。
6.一种利用权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管基板的制造方法制作的薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：
基板、缓冲层、遮光层、第一非晶硅层、第二非晶硅层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源极、漏极、有机光阻膜层、第一电极层、钝化保护层和第二电极层；其中，
所述第一非晶硅层沉积在所述缓冲层上，所述第二非晶硅层沉积在所述第一非晶层上；其中，
所述第二非晶硅层通入有乙硼烷。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通入有乙硼烷的第二非晶硅层的厚度为150埃米。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述第一非晶硅层的厚度为300埃米。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述基板为玻璃或塑料材质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
