[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板有效

专利信息
申请号: 201710467529.8 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN107302032B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 孙雪菲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 林桐苒;李丹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示 面板
【说明书】:

发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板,其中,该薄膜晶体管包括:遮光层,其中,遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层,本发明设置该遮光层不仅能够防止背光源进入有源层沟道区域,而且还能够防止层间光源进入有源层沟道区域,减少了光源对有源层的不良影响,提高薄膜晶体管的质量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤指一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。

背景技术

随着薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)液晶显示技术的不断发展,具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的低温多晶硅LTPS技术的TFT显示装置逐渐成为主流,已被广泛应用于各种电子设备,如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数字电子设备中。

目前,薄膜晶体管包括:有源层、栅电极和源漏电极等元件,而背光源对有源层的照射会使光生载流子增加,造成阈值电压偏移,尤其是背光源中的蓝光波段,因此,现有技术中为了防止TFT的有源层被背光源照射,在基板上与有源层的沟道区域对应的位置上设置了遮光层。

传统工艺中一般采用钼等金属作为遮光层,虽然能够遮挡背光源,但是层间光源会由金属制成的遮光层反射到有源层的沟道区域,从而对有源层造成不良影响,导致薄膜晶体管质量下降。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板,能够减少光源对有源层的不良影响,提高薄膜晶体管的质量。

为了达到本发明目的,本发明提供了一种薄膜晶体管,包括:遮光层;其中,所述遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层。

进一步地,有源层设置在所述第二层的一侧,所述第一层设置在所述第二层的另一侧,第一层与第二层形成遮光图案,所述遮光图案在基板上的正投影大于或等于有源层的沟道区域在基板上的正投影。

进一步地,所述第一层的材料为金属,所述第二层的材料为氧化硅。

进一步地,所述第一层和第二层的材料均为包括金属和氧化硅的复合物。

进一步地,从遮光层的远离有源层的一侧到遮光层的靠近有源层的一侧的方向上,所述遮光层中的金属的含量逐渐降低,所述遮光层中的氧化硅的含量逐渐增高。

进一步地,所述第一层远离有源层一侧的反射率为0.84-0.9,所述第二层靠近有源层一侧的反射率为0.07-0.11。

另外,本发明实施例还提供一种阵列基板,包括薄膜晶体管。

另外,本发明实施例还提供一种显示面板,包括阵列基板。

另外,本发明实施例还提供一种薄膜晶体管制作方法,包括:

在基板上形成遮光层,其中,遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层;

在形成有遮光层的基板上形成有源层。

进一步地,所述在基板上形成遮光层,具体包括:

在基板上采用电子束蒸镀工艺,或者高真空化学气象沉积工艺形成第一薄膜和第二薄膜;

通过构图工艺形成包括第一层和第二层的遮光层。

本发明实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板,该薄膜晶体管包括:遮光层,其中,遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层,本发明设置该遮光层不仅能够防止背光源进入有源层沟道区域,而且还能够防止层间光源进入有源层沟道区域,减少了光源对有源层的不良影响,提高薄膜晶体管的质量。

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