[发明专利]一种半导体激光直接倍频的小型化蓝光激光器

权利要求书

1.一种半导体激光直接倍频的小型化蓝光激光器，其特征在于：包括近红外半导体激光器(1)、光束整形和耦合透镜组(2)、光束反射装置、PPLN晶体、热沉(7)和温度控制器(8)，所述光束整形和耦合透镜组(2)置于近红外半导体激光器(1)的发射端一侧，光束整形和耦合透镜组(2)的双面均镀有近红外激光增透膜，经光束反射装置，把通过光束整形和耦合透镜组(2)后的激光束耦合到光学振荡腔中PPLN晶体(6)，PPLN晶体(6)置于光学振荡腔的光腰位置，经过光学振荡腔内振荡后形成蓝色激光输出，热沉(7)设有三个，分别连接于近红外半导体激光器(1)上以及PPLN晶体(6)的两侧，近红外半导体激光器(1)的热沉(7)以及PPLN晶体(6)的热沉(7)均连接温度控制器(8)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光直接倍频的小型化蓝光激光器，其特征在于：所述光束反射装置包括第一反射镜(3)和第二反射镜(4)，第一反射镜(3)设于光束整形和耦合透镜组(2)的后端，第二反射镜(4)设于PPLN晶体的后端，第一反射镜(3)和第二反射镜(4)位置相对，均与入射光呈45°角放置，通过光束整形和耦合透镜组(2)的光束从第一反射镜(3)反射到第二反射镜(4)，最终垂直反射至PPLN晶体内，第一反射镜(3)的反射面镀有45°近红外激光高反膜，第二反射镜(4)的反射面镀有45°近红外激光高反膜和蓝光增透膜，第二反射镜(4)的另一面镀有45°蓝光增透膜。

3.根据权利要求2所述的半导体激光直接倍频的小型化蓝光激光器，其特征在于：所述第二反射镜(4)和PPLN晶体(6)之间设有第一平凹镜(5)，第一平凹镜(5)的凹面朝向PPLN晶体，第一平凹镜(5)的平面镀有蓝光激光和近红外激光的双波长增透膜，第一平凹镜(5)的凹面镀有蓝光激光增透膜和近红外激光的部分增透膜；

PPLN晶体(6)靠近第一平凹镜(5)的凹面的端面镀有蓝光激光和近红外激光的双波长增透膜，另一端面镀有蓝光激光和近红外激光的双波长高反膜，第一平凹镜(5)的凹面和PPLN晶体(6)上镀有蓝光激光和近红外激光的双波长高反膜的端面形成光学振荡腔。

4.根据权利要求2所述的半导体激光直接倍频的小型化蓝光激光器，其特征在于：所述第二反射镜(4)和PPLN晶体(6)之间设有第一平凹镜(5)，第一平凹镜(5)的凹面朝向PPLN晶体，第一平凹镜(5)的平面镀有蓝光激光和近红外激光的双波长增透膜，第一平凹镜(5)的凹面镀有蓝光激光增透膜和近红外激光的部分增透膜；

第一平凹镜(5)位于PPLN晶体(6)的一端，PPLN晶体(6)的另一端设有第二平凹镜(9)，第二平凹镜(9)的凹面镀有蓝光激光和近红外激光双波长高反射膜，第二平凹镜(9)的凹面朝向PPLN晶体(6)；

PPLN晶体(6)的两端面均镀有蓝光激光和近红外激光双波长增透膜，第一平凹镜(5)的凹面和第二平凹镜(9)的凹面形成光学振荡腔。

5.根据权利要求2所述的半导体激光直接倍频的小型化蓝光激光器，其特征在于：第一反射镜(3)设于光束整形和耦合透镜组(2)的后端，第一平凹镜(5)设于第一反射镜(3)的后端，第一平凹镜(5)与入射光呈小于45°角放置，第一平凹镜(5)的凹面正对着PPLN晶体(6)，第一反射镜(3)镀有蓝光激光高反膜和近红外激光部分增透膜，第一平凹镜(5)的平面镀有蓝光增透膜，第一平凹镜(5)的凹面镀有近红外波长高反射膜和蓝光激光的增透膜；

PPLN晶体(6)靠近第一平凹镜(5)的端面镀有蓝光和近红外激光双波长增透膜，另一个端面镀有蓝光和近红外激光双波长高反射膜；

第一反射镜(3)、第一平凹镜(5)的凹面与PPLN晶体(6)上镀有蓝光和近红外激光双波长高反射膜的端面形成光学振荡腔。