[发明专利]量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将量子点与载体混合于溶剂中，得到混合液；通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜；通过HHIC技术对含量子点与载体的混合薄膜进行交联处理，使得量子点与载体之间发生交联，得到量子点与载体交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术可使独立的量子点与载体交联在一起，得到量子点与载体交联的混合薄膜。另外，本发明HHIC交联方法不需要交联基团，可以大大减少交联基团对量子点的淬灭，提高量子点的发光效率。此外，由于HHIC交联过程中产生大量的自由基，自由基可以迁移到杂质上，钝化杂质对量子点的淬灭，从而进一步提高量子点的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件。

背景技术

胶体（Colloid）量子点是基于液相分布的纳米材料体系。胶体量子点通过不同的制备工艺（旋涂、打印、转印或涂布等），制备量子点多层或单层薄膜。由于胶体量子点体系中，量子点分散在溶剂中，成膜后溶剂挥发，形成只有量子点堆积的固体薄膜。量子点之间以微弱的范德华力链接，在外界作用下（机械力，溶剂等），薄膜形态不能保持，因此胶体量子点的应用受到很大限制。例如，在量子点发光二极管（QLED）的制备过程中，由于量子点无法交联，可能被量子点层上的制备过程用的溶剂冲走，因此限制了QLED的制备工艺和材料选择，从而制约了QLED的性质和应用。

目前量子点交联的解决方案主要运用化学方法，即在量子点制备过程中添加化学交联基团，成膜后通过热处理或者光处理，使交联基团反应，从而交联量子点。此方法的问题是交联基团通常是化学活性很强的基团，比如：-CH=O和-OH等基团，这些交联基团会使量子点淬灭，从而影响量子点的发光效率和电子迁移率。其次在含量子点和载体的混合薄膜中，一般载体不和量子点交联，即只是载体交联，因为载体有交联基团。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件，旨在解决现有交联方法中交联基团使量子点淬灭，影响量子点发光效率；及含有量子点与载体的混合薄膜中，载体之间容易发生交联，而载体与量子点之间难以发生交联的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，包括：

步骤A、将量子点与载体混合于溶剂中，得到混合液；

步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜；

步骤C、通过HHIC技术对含量子点与载体的混合薄膜进行交联处理，使得量子点与载体之间发生交联，得到量子点与载体交联的混合薄膜。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述载体为聚合物和小分子中的一种或两种。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述聚合物为第一p型半导体材料、第一n型半导体材料、第一绝缘体材料、第一发光材料中的一种或多种；所述小分子为第二p型半导体材料、第二n型半导体材料、第二绝缘体材料、第二发光材料中的一种或多种。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述第一p型半导体材料为PVK、TFB、poly-TPD、P3HT中的一种或多种，所述第一n型半导体材料为OXD-7，所述第一绝缘体材料为PMMA、PVP、PEN、PET中的一种或多种，所述第一发光材料为MEH-PPV。

所述的量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法，其中，所述第二p型半导体材料为NPB、CBP、TCTA中的一种或多种，所述第二n型半导体材料为Bphen、Alq、Liq中的一种或多种，所述第二绝缘体材料为UGH1，所述第二发光材料为Irppy3、Firpic中的一种或两种。