[发明专利]一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构

权利要求书

1.一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，其特征在于，包括基底、导线和叉指电极元件；

所述的导线包括行导线和列导线，所有的列导线在基底表面等间距排布，所有的行导线垂直于列导线等间距排布，行导线与列导线的交叉部分绝缘；行导线和列导线分割的空间内布置叉指电极元件，叉指电极元件按导线间距以矩阵方式排列，电极两端分别连接在行导线和列导线上，每一列叉指电极的阳极都接在本列的列导线上，每一行叉指电极的阴极都接在本行的行导线上，叉指电极与所有的列导线之间的角度相同。

2.如权利要求1所述的一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，其特征在于，所述的叉指电极与行导线和列导线均呈45度角排列。

3.如权利要求1所述的一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，其特征在于，基底为单晶基片或在衬底上沉积的纳米结构薄膜。

4.如权利要求1所述的一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，其特征在于，所述的行导线之间的间距与列导线之间的间距相同；行导线与列导线的长度和宽度均相同；绝缘块的边长大于导线的宽度。

5.如权利要求1所述的一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，其特征在于，所述的探测器阵列结构按层次从下到上依次为：基底层、下电极层、绝缘层和上电极层。

6.如权利要求5所述的一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，其特征在于，所述的上下电极层和绝缘层的参数选择与基底有关，通过标准的半导体光刻工艺依次实现，阵列的大小和叉指电极的尺寸根据需要进行改变，主要体现在掩模版图形上。

7.制作权利要求5所述的一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构的具体过程如下：

首先，用下电极掩模版在基底层上镀列导线和叉指电极阵列，形成下电极层；

接着，生长绝缘层，用绝缘块阵列掩膜版进行刻蚀，保证行列导线交叉部分之间绝缘的同时，其它部分的绝缘层被刻蚀掉，露出下电极层部分；

最后，利用上电极掩模版套刻镀行导线，构成上电极层。