[发明专利]用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统

权利要求书

1.一种在多站式半导体处理室内沉积膜的方法，所述方法包括：

(a)确定用于在所述室内进行膜沉积的工艺条件，所述工艺条件包括在所述室内围绕每个站的周边流动的帘式气体的流动条件；

(b)根据(a)中确定的所述工艺条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流到所述室内的每个站；

(c)在(b)期间或之后，确定衬底的不均匀性；

(d)基于所述衬底的不均匀性，确定所述室内的所述帘式气体的经调节的流动条件，以改善所述衬底的不均匀性；以及

(e)在(d)之后，根据(d)中确定的所述经调节的流动条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流动。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述帘式气体的所述流动条件是所述帘式气体的流率，并且其中所述帘式气体的所述经调节的流动条件为所述帘式气体的经调节的流率。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在(e)期间，使所述帘式气体以基本上恒定的流率流动。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在(e)期间，使所述帘式气体以可变的流率流动。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述帘式气体的所述流动条件是所述帘式气体的分压，并且其中所述帘式气体的所述经调节的流动条件是所述帘式气体的经调节的分压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺条件包括所述室的压强，并且其中所述室内的所述帘式气体的所述经调节的流动条件由所述室的经调节的压强导致。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺条件包括所述室的排空速率，并且其中所述室内的所述帘式气体的所述经调节的流动条件由所述室的经调节的排空速率导致。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述帘式气体的流动条件是所述帘式气体的流率和所述帘式气体的分压，

所述工艺条件包括所述室的压强和所述室的排空速率，并且

所述室内的所述帘式气体的经调节的所述流动条件是以下项中的一种以上：所述帘式气体的经调节的流率、所述帘式气体的经调节的分压、由所述室的经调节的压强导致的流动条件以及由所述室的经调节的排空速率导致的流动条件。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中(e)在所述膜沉积的阶段期间进行。

10.根据权利要求9所述的方法，其中(e)在膜沉积的以下阶段中的一个或多个阶段期间进行：将每个站中的衬底暴露于材料的前体，从所述室除去所述前体中的至少一些，激活所述前体在每个衬底上的反应，以及在所述反应之后除去所述室内的气体中的至少一些。