[发明专利]兼具语音识别功能的存储器在审
| 申请号： | 201710461230.1 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148471A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;G10L15/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模式处理电路 存储器 语音识别功能 存储处理单元 用户语音数据 存储用户 模式识别 三维存储 声学模型 语言模型 语音数据 堆叠 存储 | ||
1.一种兼具语音识别功能的存储器(200)，其特征在于含有：
一传输至少一声学模型的输入总线(110)；
一半导体衬底(0)及多个存储处理单元(100aa-100mn)，所述多个存储处理单元与该输入总线(110)耦合，每个存储处理单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一模式处理电路(180)，其中：
所述3D-M阵列(170)堆叠在该衬底(0)上方，该3D-M阵列(170)存储至少一用户语音数据；
所述模式处理电路(180)位于该衬底(0)中，该模式处理电路(180)根据该声学模型对该用户语音数据进行模式识别；
所述3D-M阵列(170)和所述模式处理电路(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)耦合。
2.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：所述3D-M为三维可写存储元（3D-W）。
3.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：该3D-M阵列(170)覆盖至少部分所述模式处理电路(180)。
4.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：所述模式处理电路(180)被至少两个3D-M阵列(170A, 170B)覆盖。
5.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：所述多个接触通道孔(1av,3av)构成一大带宽电连接。
6.一种兼具语音识别功能的存储器(200)，其特征在于含有：
一传输至少一语言模型的输入总线(110)；
一半导体衬底(0)及多个存储处理单元(100aa-100mn)，所述多个存储处理单元与该输入总线(110)耦合，每个存储处理单元(100ij)含有至少一三维存储 (3D-M)阵列(170)和一模式处理电路(180)，其中：
所述3D-M阵列(170)堆叠在该衬底(0)上方，该3D-M阵列(170)存储至少一用户语音数据；
所述模式处理电路(180)位于该衬底(0)中，该模式处理电路(180)根据该语言模型对该用户语音数据进行模式识别；
所述3D-M阵列(170)和所述模式处理电路(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)耦合。
7.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：所述3D-M为三维可写存储元（3D-W）。
8.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：该3D-M阵列(170)覆盖至少部分所述模式处理电路(180)。
9.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：所述模式处理电路(180)被至少两个3D-M阵列(170A, 170B)覆盖。
10.根据权利要求1所述的存储器(200)，其特征还在于：所述多个接触通道孔(1av,3av)构成一大带宽电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
