[发明专利]基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构在审
| 申请号： | 201710460802.4 | 申请日： | 2017-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN107275789A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周晨昱;杨琬琛;车文荃;陈东旭;冯文杰 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01Q5/10 | 分类号： | H01Q5/10;H01Q5/314;H01Q9/26;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 朱宝庆 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 薄膜 频率 可调 紧凑型 人工 导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构，包括介质基板(4)、金属地板(5)、金属贴片(3)，金属贴片(3)印制于介质基板(4)的上表面，金属地板(5)设置于介质基板(4)的下表面，其特征在于，
金属贴片(3)设置成若干均匀分布的UC-AMC单元(1)且每一行的相邻UC-AMC单元(1)的微带分支之间通过一条二氧化钒薄膜(2)相连。
2.根据权利要求1所述的人工磁导体结构，其特征在于，介质基板(3)的介电常数εr为2～20，厚度H为0.01λ～0.1λ，其中λ为自由空间波长。
3.根据权利要求1所述的人工磁导体结构，其特征在于，相邻两个UC-AMC单元(1)的间距G为0.001λ～0.04λ；
每个UC-AMC单元(1)的边长W均为0.05λ～0.2λ，其中，中间的正方形边长W1为0.03λ～0.1λ，四角的正方形边长W2为0.02λ～0.1λ，四边的微带线宽W3为0.009λ～0.03λ，相邻UC-AMC单元(1)左右两根微带分支之间的间距为0.001λ～0.006λ。
4.根据权利要求1所述的人工磁导体结构，其特征在于，二氧化钒薄膜(2)的尺寸为0.5mm×0.5mm～1mm×1mm，厚度为100nm～400nm，导电率变化前后每块方阻膜的阻值分别为10kΩ～100kΩ和10Ω～100Ω。
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