[发明专利]含钴衬底的化学机械抛光(CMP)

权利要求书

1.一种用于含钴衬底的化学机械抛光(CMP)抛光组合物，所述组合物包含：

0.005wt.％-25wt.％的磨料；

0.05wt.％-5wt.％的α-丙氨酸；

2ppm-50ppm的包含H₂PO₄^1-、HPO₄^2-或PO₄^3-的磷酸盐或酯化合物；

0.0005wt.％-0.25wt.％的腐蚀抑制剂；

0.005wt.％-10wt.％的氧化剂；和

水；

其中所述化学机械抛光(CMP)抛光组合物的pH为2.0-12。

2.如权利要求1所述的用于含钴衬底的化学机械抛光(CMP)抛光组合物，所述组合物进一步包含以下中的至少一种：

0.0001wt.％-0.20wt.％的胺化合物；

0.01wt.％-10wt.％的螯合剂；

0.01wt.％-0.5wt.％的pH调节剂；

0.00001wt.％-0.10wt.％的杀生物剂；和/或

0.0005wt.％-0.15wt.％的表面活性剂。

3.如权利要求1或2所述的用于含钴衬底的化学机械抛光(CMP)抛光组合物，其中所述磨料选自纳米尺寸的胶体二氧化硅或高纯度胶体二氧化硅颗粒；纳米尺寸的无机金属氧化物颗粒，其选自氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铈及其组合；纳米尺寸的金刚石颗粒；纳米尺寸的氮化硅颗粒；单模态、双模态或多模态的胶体磨料颗粒；基于有机聚合物的软磨料；表面涂覆或改性的磨料；和其组合；和/或所述磨料的量为0.05wt.％-5wt.％；

所述丙氨酸选自D-丙氨酸、L-丙氨酸、DL-丙氨酸及其组合，和/或所述丙氨酸的量为0.5wt.％-2wt.％；

所述包含H₂PO₄^1-、HPO₄^2-或PO₄^3-的磷酸盐或酯化合物是选自磷酸根离子、磷酸氢根离子、磷酸二氢根、磷酸及其组合的形式；和/或所述磷酸盐或酯化合物的量是2ppm-50ppm；

所述腐蚀抑制剂选自1,2,4-三唑及其衍生物、苯并三唑及其衍生物、1,2,3-三唑及其衍生物、吡唑及其衍生物、咪唑及其衍生物、苯并咪唑及其衍生物、苯并咪唑及其衍生物、异氰脲酸酯及其衍生物、和其组合；和/或所述腐蚀抑制剂的量为0.0025wt.％-0.25wt.％；

所述氧化剂选自高碘酸、过氧化氢、碘酸钾、高锰酸钾、过硫酸铵、钼酸铵、硝酸铁、硝酸、硝酸钾及其混合物；和/或所述氧化剂的量为0.25wt.％-3wt.％；和/或

所述化学机械抛光(CMP)抛光组合物的pH为6.0-10。